带有SiO2-Si3N4栅绝缘层的低漏泄电流n沟、P沟硅栅FET
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1976年第2期
页 面：59-69页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：漏泄电流 SiO2-Si3N4 存贮单元 FET 硅栅 保存时间 氮化硅 四氮化三硅 氮化物 选通二极管 水汽 器件参数 衬底偏置 绝缘层
摘 要：用300埃SiO2-300埃Si3N4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET （场效应晶体管）。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于使用了n型或p型掺杂的多晶硅场屏蔽,故才实现很低的n沟漏泄电流。单管动态存贮单元有长的平均保存时间:n沟单元为158秒,p沟单元为34秒。为了防止在偏置温度应力下Vt漂移大,必须在氧气或水汽气氛中进行Si3N4退火。
同方期刊数据库