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Science China(Information Sciences) 2020年第2期63卷 245-247页

作者： Yang ZHAO Qianqian HUANG Ru HUANG Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE) Institute of Microelectronics Peking University National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication Peking University

Dear editor,As CMOS technology scaling down, the reduction of supply voltage and power consumption becomes extremely difficult due to the subthreshold swing(SS) limitation (60 m V/dec) at room *** fet (Tfet) with band-to-band tunneling (BTBT) mechanism is regarded as one of the most promising emerging low-power devices due to its sub-60 m V/dec SS and ultra-low off-current

关键词： A novel tunnel fet design through hybrid modulation with optimized subthreshold characteristics and high drive capability fet

EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF TRAVELLING WAVE POWER fet WITH COPLANAR SLOW WAVE ELECTRODE SYSTEM

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Journal of Electronics(China) 1984年第4期1卷 283-288页

作者：任裕安阮贵华 Institute of Electronics Academia Sinica

Power TW fet(travelling wave field effect transistor)models are built and tested according toa previously derived travelling wave interaction *** common drain and gate electrode systemconsisting of coplanar meander slow wave structures are *** active length of the deviceis about 3 guided wave length *** 21 single fets connecting between the common drainand the gate line,the output power of the model has increased by more than one order in magnitudeas compared to a single fet.A bandwidth of 1:15 and low phase distortion characteristic *** electric field distribution along the common drain line is then measured and it revealsthat a linear combination of a linear increasing travelling wave and a standing wave *** ex-perimental results agree well with the *** S parameters of the model show useful results.

关键词： fet EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF TRAVELLING WAVE POWER fet WITH COPLANAR SLOW WAVE ELECTRODE SYSTEM line

THE LARGE-SIGNAL DESIGN FOR fet FUNDAMENTAL AND HARMONIC OSCILLATORS

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Journal of Electronics(China) 1992年第2期9卷 113-121页

作者：苗敬峰廖敏 Southeast University Nanjing 210018

A Large-signal model for GaAs fet is derived based on its small-signal S parame-ters and DC characteristics. The harmonic balance algorithm is applied to analyze and optimizethe fet fundamental and harmonic oscillators, and the values of steady current are *** the solving process, a simplified CAD approach is used to obtain the parameters of matchingnetwork when the output power is maximum. Finally, a fundamental oscillator and a harmonicoscillator of Q-band are fabricated. The measurements show that the theoretical analysis andexperimental results are in good agreement.

关键词： fet Large signal model Harmonic balance algorithm Harmonic oscillator

一种GaAs fet/pHEMT器件噪声参数测量的新方法

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电子学报 2006年第2期34卷 352-355页

作者：刘章文蒋毅古天祥电子科技大学自动化工程学院

本文提出一种fet/pHEMT器件噪声参数提取的新方法.该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CAINT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程.后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定T... 详细信息

本文提出一种fet/pHEMT器件噪声参数提取的新方法.该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CAINT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程.后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定Tg和Td.再由噪声网络合成原理求得总的级联噪声相关矩阵CA,相应的噪声参数(Fm in,Rn和Γopt)也求出来了.三个fet/pHEMT器件的测量结果显示出,实测参数与Garcia和Lázaro的方法吻合得很好.

关键词：噪声测量 fet 本征H参数级联噪声矩阵

基于GaN-fet大功率、超低功耗移相器设计

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电子科技大学学报 2023年第2期52卷 209-213页

作者：来晋明马晓华王海龙王超杰李志友西安电子科技大学微电子学院西安710071 中国电子科技集团公司第29研究所成都610036 四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心成都610036

提出了一种基于支节加载GaN-fet的大功率、低插损、超低功耗移相器。该移相器的核心电路由多节高阻抗微带支节线以及支节末端加载的GaN-fet管芯构成。通过对单支节加载GaN-fet移相器电路模型的详细分析,得到了移相器的插损和相移表达式... 详细信息

提出了一种基于支节加载GaN-fet的大功率、低插损、超低功耗移相器。该移相器的核心电路由多节高阻抗微带支节线以及支节末端加载的GaN-fet管芯构成。通过对单支节加载GaN-fet移相器电路模型的详细分析,得到了移相器的插损和相移表达式,并将其作为基本单元进行拓展可得到满足所需工作带宽的多支节加载GaN-fet移相器。由于采用了高阻抗微带线支节,该移相器具有大功率处理能力。结合理论分析,对多支节加载GaN-fet移相器进行了设计、加工和测试。测试结果表明,所加工的移相器在9.2~9.8 GHz范围内,通过控制GaN fet的关断实现了30°和60°两种相移状态。同时,移相器功率承受能力大于10 W,插损优于1 dB,控制电流小于6μA。

关键词： fet GaN SAR成像支节加载移相器

过渡金属二硫族化合物在fet中的应用研究进展

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人工晶体学报 2017年第5期46卷 867-873页

作者：张禹韦习成余运龙张浩福建江夏学院电子信息科学学院福州350108 上海大学材料科学与工程学院上海200072 有机光电子福建省高校工程研究中心福州350108

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(fet)上的... 详细信息

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(fet)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。

关键词：过渡金属二硫族化合物 fet 器件

Efficient Time-Domain Signal and Noise fet Models for Millimetre-Wave Applications

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Journal of Electromagnetic Analysis and Applications 2013年第1期5卷 23-31页

作者： Shahrooz Asadi Mustapha C. E. Yagoub School of Electrical Engineering and Computer Science University of Ottawa

Based on the active coupled line concept, a novel approach for efficient signal and noise modeling of millimeter-wave field-effect transistors is proposed. The distributed model considers the effect of wave propagation along the device electrodes, which can significantly affect the device performance especially in the millimetre-wave range. By solving the multi-conductor transmission line equations using the Finite-Difference Time-Domain technique, the proposed procedure can accurately determine the signal and noise performance of the transistor. In order to demonstrate the proposed fet model accuracy, a distributed low-noise amplifier was designed and tested. A model selection is often a trade-off between procedure complexity and response accuracy. Using the proposed distributed model versus the circuit-based model will allow increasing the model frequency range.

关键词： Distributed Model FDTD Noise Correlation Matrix fet

C波段高频率稳定度宽带fet电压控制振荡器

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固体电子学研究与进展 1991年第1期11卷 72-77页

作者：臧同根南京电子器件研究所 210016

本文叙述了用场效应振荡管和砷化镓常γ电调变容二极管及恒温控制电路等构成的C波段高频率稳定度宽带场效应管电压控制振荡器(VCO)的设计和电性能.通过合理的设计,VCO在4～6～8GHz的频率范围内,得到输出功率大于30mW,功率平坦度小于1dB... 详细信息

本文叙述了用场效应振荡管和砷化镓常γ电调变容二极管及恒温控制电路等构成的C波段高频率稳定度宽带场效应管电压控制振荡器(VCO)的设计和电性能.通过合理的设计,VCO在4～6～8GHz的频率范围内,得到输出功率大于30mW,功率平坦度小于1dB,频率稳定度在10^(-5)量级.

关键词：电压控制振荡器 fet C波段

GaAs fet噪声系数和资用功率增益的测定

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电子学报 1989年第1期17卷 73-78页

作者：叶禹康南京电子器件研究所

本文给出了可同时测量GaAs fet噪声系数和资用功率增益的改进方法,以及对有耗匹配网络设计和损耗的定量分析方法。文中介绍了用多种源阻抗确定最佳噪声参量的方法,实践证明上述技术具有重要的参考意义。

关键词： GaAs 噪声系数功率测定 fet

12～15GHz功率GaAs fet的研究

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固体电子学研究与进展 1989年第3期 338-339页

作者：夏先齐翁瑞南京电子器件研究所

卫星通信技术的发展需要能在Ku波段以上工作的GaAs功率fet,但在Ku波段,高功率fet芯片尺寸与信号波长可相比拟,而难以向大fet的每个胞都均匀地馈通微波信号。此外,还需减小芯片的串联源电感等寄生电抗和热阻,以使功率fet达到实际应用。 ... 详细信息

卫星通信技术的发展需要能在Ku波段以上工作的GaAs功率fet,但在Ku波段,高功率fet芯片尺寸与信号波长可相比拟,而难以向大fet的每个胞都均匀地馈通微波信号。此外,还需减小芯片的串联源电感等寄生电抗和热阻,以使功率fet达到实际应用。本研究通过下面两个途径来克服Ku波段频率下其增益和功率下降的问题。 (1)器件设计采用密集沟道。将2,4001μm栅宽四胞fet设计在400μm有源区长度以内,使各胞同相位工作

关键词： fet 波段 GaAs fet 输出功率