半导体表面反型判则及其原因剖析

作     者：邵志标 刘芸 胡浩 Shao Zhi-biao, Liu Yun,Hu Hao

作者机构：西安交通大学 延河无线电厂 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：1986年第2期

页      面：7-11+41页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：半导体表面 电荷分布 电性 热激电流 热激离子电流 界面态 硅表面 电子学 电学 深能级 电子能态 峰位 禁带 能带结构 空间电荷区 谱峰 氧化层 表面层 升温速率 高低温 

摘      要：引言由Si-SiO2界面物理基本关系,建立一个适用的半导体表面反型判则。通过对MOS结构样品的C-V测量,迅速判别工艺线上硅片的反型或接近反型程度,从而决定取舍。为了分析反型原因,进一步对硅片上氧化层所含电荷的状况进行各种分析,包括:（i）非破坏性高频MOS C-V法测量可动电荷密度、不可动电荷密度及总电荷密度;（ii）剥层C-V法测量氧化层中电荷的纵向分布;（iii）热激电流法测量一定范围内的界面态密度,陷阱中心及可动离子密度;（iv）高低温C-V