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采用LPCVD生长的SIPOS薄膜的钝化性质研究和应用

作     者：冯国进 王长河 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：1986年第3期

页      面：7-12页

主　　题：半导体表面 晶体管 外电场 特性曲线 电流增益 半导体三极管 赫德曲线 LPCVD SIPOS 硅表面 反向漏电流 

摘      要：本文阐述了SIPOS膜的钝化机理,给出了采用LPCVD法生长SIPOS的方法,并对所生长的SIPOS进行了多项性能测试,最后给出了分别采用SIPOS、Si;N;双层钝化结构和SiO;,Si;N;双层钝化结构钝化的晶体管多项对比实验,实验结果表明,SIPOS钝化膜具有优良的钝化性能和钝化效果。

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