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An in situ growth method for property control of lpcvd polysilicon film
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Chinese Optics Letters 2004年 第8期2卷 489-492页
作者: 余洪斌 陈海清 李俊 汪超 Department of Optoelectronics Engineering Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 Department of Optoelectronics Engineering Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074olysilicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) exhibit large residual stress and stress gradient depending on the deposition condition. An in situ growth method based on multilayer concept is presented to control the property for as-deposited polysilicon. A 3-μm thick polysilicon film with nine layers structure is demonstrated under the detailed analysis of multi-layer theory and material characteristic of polysilicon. The results show that a 3-μm-thick polysilicon film with 8-MPa overall residual tensile stress and 2.125-MPa/μm stress gradient through the film thickness is fabricated successfully.
Polysilicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition (lpcvd) exhibit large residual stress and stress gradient, depending on the deposition condition. An in situ growth method based on multilayer conc... 详细信息
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High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Sirich lpcvd SiN_(x) gate insulator for high hole mobility
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Journal of Semiconductors 2023年 第8期44卷 78-86页
作者: Liyang Zhu Kuangli Chen Ying Ma Yong Cai Chunhua Zhou Zhaoji Li Bo Zhang Qi Zhou State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu 610054China Key Laboratory of Nanodevices and Applications Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionicsCASSuzhou 215123China Institute of Electronic and Information Engineering University of Electronic Science and Technology of ChinaDongguan 523808China
In this work,the GaN p-MISFET with lpcvd-SiN_(x) is studied as a gate dielectric to improve device *** changing the Si/N stoichiometry of SiN_(x),it is found that the channel hole mobility can be effectively enhanced ... 详细信息
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Si纳米量子点的lpcvd自组织化形成及其生长机理研究
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物理学报 2003年 第12期52卷 3108-3113页
作者: 彭英才 池田弥央 宫崎诚一 河北大学电子信息工程学院 保定071002 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 广岛大学电气工学系 日本广岛
采用低压化学汽相沉积 (lpcvd)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温... 详细信息
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lpcvd制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究
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西安电子科技大学学报 2000年 第3期27卷 309-311页
作者: 刘红侠 郝跃 朱秉升 西安电子科技大学微电子所 陕西西安710071 西安交通大学电子工程系 陕西西安710049
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用lpcvd法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
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lpcvd氮化硅作减反射膜的MIS/IL太阳电池反型层性质的研究
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太阳能学报 1987年 第1期8卷 28-35页
作者: 汪怀峰 刘恩科 张声良 西安交通大学电子工程系
设计了以MIS接触作为源、漏的MNOS场效应晶体管,通过晶体管电特性的测量,考察了MIS/IL太阳电池减反射膜(lpcvd氮化硅)中由于电荷存贮效应引起正电荷密度增大时反型层参数(薄层电阻R?,有效迁移率μeff)的变化。利用建立的模型用计算机... 详细信息
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SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系lpcvd Si_3N_4薄膜因素分析
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光学精密工程 2005年 第z1期13卷 34-37页
作者: 谭刚 吴嘉丽 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳621900
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(lpcvd)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si... 详细信息
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lpcvd淀积速率分布的解析表达式
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Journal of Semiconductors 1989年 第8期10卷 592-600页
作者: 王永发 张世理 王季陶 复旦大学材料系
通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验... 详细信息
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lpcvd法制备TOPCon太阳能电池工艺研究
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人工晶体学报 2023年 第1期52卷 149-154页
作者: 王举亮 贾永军 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 西安710100
本文主要对低压化学气相沉积(lpcvd)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析lpcvd法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影... 详细信息
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lpcvd氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响
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Journal of Semiconductors 1991年 第12期12卷 721-727页
作者: 陈克铭 李国花 吕惠云 陈朗星 中国科学院半导体研究所传感技术国家重点联合实验室 北京100083
本文利用共振核反应定量地确定了lpcvd氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度... 详细信息
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Enhanced Photo-Induced Property of lpcvd-TiO<SUB>2</SUB>Layer on PCVD-TiO<SUB>x</SUB>Initial Layer
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Journal of Materials Science and Chemical Engineering 2015年 第7期3卷 28-38页
作者: Satoshi Yamauchi Keisuke Yamamoto Sakura Hatakeyama Department of Biomolecular Functional Engineering Hitachi Japan
Plasma-assisted chemical vapor deposition (PCVD) was applied for amorphous TiOx deposition on Pyrex-glass substrate at low temperature below 90°C to control orientation of anatase-TiO2 layer by low pressure chemical ... 详细信息
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