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High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Sirich lpcvd SiN_(x) gate insulator for high hole mobility

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Journal of Semiconductors 2023年第8期44卷 78-86页

作者： Liyang Zhu Kuangli Chen Ying Ma Yong Cai Chunhua Zhou Zhaoji Li Bo Zhang Qi Zhou State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu 610054China Key Laboratory of Nanodevices and Applications Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionicsCASSuzhou 215123China Institute of Electronic and Information Engineering University of Electronic Science and Technology of ChinaDongguan 523808China

In this work,the GaN p-MISFET with lpcvd-SiN_(x) is studied as a gate dielectric to improve device *** changing the Si/N stoichiometry of SiN_(x),it is found that the channel hole mobility can be effectively enhanced with Si-rich SiN_(x) gate dielectric,which leads to a respectably improved drive current of GaN *** record high channel mobility of 19.4 cm2/(V∙s)was achieved in the device featuring an Enhancement-mode *** from the significantly improved channel mobility,the fabricated E-mode GaN p-MISFET is capable of delivering a decent-high current of 1.6 mA/mm,while simultaneously featuring a negative threshold-voltage(VTH)of–2.3 V(defining at a stringent criteria of 10μA/mm).The device also exhibits a well pinch-off at 0 V with low leakage current of 1 nA/*** suggests that a decent E-mode operation of the fabricated p-FET is *** addition,the VTH shows excellent stability,while the threshold-voltage hysteresisΔVTH is as small as 0.1 V for a gate voltage swing up to–10 V,which is among the best results reported in the *** results indicate that optimizing the Si/N stoichiometry of lpcvd-SiN_(x) is a promising approach to improve the device performance of GaN p-MISFET.

关键词： p-channel GaN p-FET lpcvd channel mobility hole mobility enhancement-mode

Si纳米量子点的lpcvd自组织化形成及其生长机理研究

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物理学报 2003年第12期52卷 3108-3113页

作者：彭英才池田弥央宫崎诚一河北大学电子信息工程学院保定071002 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 广岛大学电气工学系日本广岛

采用低压化学汽相沉积 (lpcvd)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温... 详细信息

采用低压化学汽相沉积 (lpcvd)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系 .依据lpcvd的表面热力学过程 ,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理 .研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长 ,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义 .

关键词：硅纳米量子点低压化学汽相沉积法 lpcvd 薄膜生长量子器件自组织生长

lpcvd制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

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西安电子科技大学学报 2000年第3期27卷 309-311页

作者：刘红侠郝跃朱秉升西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 西安交通大学电子工程系陕西西安710049

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用lpcvd法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .

关键词：掺氧半绝缘多晶硅 lpcvd 薄膜淀积

lpcvd氮化硅作减反射膜的MIS/IL太阳电池反型层性质的研究

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太阳能学报 1987年第1期8卷 28-35页

作者：汪怀峰刘恩科张声良西安交通大学电子工程系

设计了以MIS接触作为源、漏的MNOS场效应晶体管,通过晶体管电特性的测量,考察了MIS/IL太阳电池减反射膜（lpcvd氮化硅）中由于电荷存贮效应引起正电荷密度增大时反型层参数(薄层电阻R?,有效迁移率μeff)的变化。利用建立的模型用计算机... 详细信息

设计了以MIS接触作为源、漏的MNOS场效应晶体管,通过晶体管电特性的测量,考察了MIS/IL太阳电池减反射膜（lpcvd氮化硅）中由于电荷存贮效应引起正电荷密度增大时反型层参数(薄层电阻R?,有效迁移率μeff)的变化。利用建立的模型用计算机分析了这些变化对电池输出特性的影响,结果表明电荷存贮效应可以有效地提高电池的转换效率。

关键词：太阳电池减反射膜光学增透膜氮化硅四氮化三硅氮化物反型层电池效率栅线 MIS/IL lpcvd IL

SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系lpcvd Si_3N_4薄膜因素分析

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光学精密工程 2005年第z1期13卷 34-37页

作者：谭刚吴嘉丽中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(lpcvd)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si... 详细信息

以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(lpcvd)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。

关键词： SiH2CL2-NH3-N2体系 lpcvd 氮化硅薄膜淀积速率

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lpcvd淀积速率分布的解析表达式

Journal of Semiconductors 1989年第8期10卷 592-600页

作者：王永发张世理王季陶复旦大学材料系

通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验... 详细信息

通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验结果相符很好.

关键词： lpcvd 化学气相淀积集成电路

lpcvd法制备TOPCon太阳能电池工艺研究

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人工晶体学报 2023年第1期52卷 149-154页

作者：王举亮贾永军青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司西安710100

本文主要对低压化学气相沉积(lpcvd)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析lpcvd法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影... 详细信息

本文主要对低压化学气相沉积(lpcvd)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析lpcvd法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影响。结果表明:当隧穿氧化层厚度在1.55 nm时,钝化效果最佳;多晶硅层厚度120 nm时V_(oc)达到最高值;多晶硅层厚度在90 nm时E_(ff)最高。当P掺杂量为3.0×10^(15)cm^(-2)时可获得较高的Voc,原因是随着P掺杂量的增加,多晶硅层场钝化效果提高。

关键词： TOPCon电池 lpcvd 隧穿氧化层多晶硅层钝化掺杂

lpcvd氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响

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Journal of Semiconductors 1991年第12期12卷 721-727页

作者：陈克铭李国花吕惠云陈朗星中国科学院半导体研究所传感技术国家重点联合实验室北京100083

本文利用共振核反应定量地确定了lpcvd氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度... 详细信息

本文利用共振核反应定量地确定了lpcvd氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度为2-3×10^(21)cm^(-3),而且敏感膜表面氢原子浓度大小与膜表面的制备条件密切相关,同时我们还利用傅利叶交换红外透射吸收光谱,确定了lpcvd氨化硅敏感膜中存在Si-O(1106cm^(-1))N-H(1200cm^(-1)),Si-H(2258cm^(-1))和N-H(3349cm^(-1))的化学键配位结构.敏感膜表面氧的存在严重地影响ISFET的能斯特响应和线性范围,而敏感膜表面的Si-H,N-H和N-Si 的化学键结构存在,有利于改善pH-ISFET 的灵敏度和线性范围.

关键词：氮化硅膜 lpcvd 氢含量敏感特性

Enhanced Photo-Induced Property of lpcvd-TiO<SUB>2</SUB>Layer on PCVD-TiO<SUB>x</SUB>Initial Layer

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Journal of Materials Science and Chemical Engineering 2015年第7期3卷 28-38页

作者： Satoshi Yamauchi Keisuke Yamamoto Sakura Hatakeyama Department of Biomolecular Functional Engineering Hitachi Japan

Plasma-assisted chemical vapor deposition (PCVD) was applied for amorphous TiOx deposition on Pyrex-glass substrate at low temperature below 90°C to control orientation of anatase-TiO2 layer by low pressure chemical vapor deposition (lpcvd) using TTIP-single precursor. Preferentially -oriented anatase-TiO2 layer was successfully deposited with the orientation ratio as high as 68% on the initial layer of the thickness around 70 nm. Contact angle water was quickly decreased by UV-irradiation on the highly -oriented TiO2 layer comparing with the layer directly deposited on glass, whereas surface roughness on the former was significantly reduced in comparison to that on the latter. Methyleneblue (MB) aqueous solution with the concentration of 2 mmol/L was used to evaluate photocatalytic property on the layer. Rate constant of MB-decomposition via first order kinetics increased with the orientation ratio above 60% was resulted in 2.3 × 10-1?min-1 for the layer with -orientation ratio of 68%, whereas the constant was 2.8 × 10-3 min-1 for the layer directly deposited on glass.

关键词： lpcvd Anatase-TiO2 PCVD TiOx Hydrophilicity Photocatalyst