检索结果-南通市图书馆

半导体技术 2003年第4期28卷 37-39页

作者：石青宏厉策王军何慧强深爱半导体有限公司广东深圳518029

通过对半绝缘多晶硅(sipos)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了sipos膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进sipos膜结构的方法。

关键词： sipos 纵向结构晶体管电压特性半绝缘多晶硅掺氧多晶硅膜结构

电子辐照sipos中产生深能级的研究(英文)

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固体电子学研究与进展 1989年第4期 431-432页

作者：王云珍翁觉伟戴祝萍华东师范大学复旦大学

Some deep levels induced by electron irradiation in oxygen-doped semi-insulating polycrystalline silicon (sipos) have been found and studied by using DLTS measurements in conjunction with the C-V method. Experimental results show that when the irradiation energy is changed, the introduction rates are varied, Its porsible effects on S1POS used as a field shielding passivant for high-voltage semiconductor devices are also discussed.

关键词：电子辐照 sipos 深能级

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基于sipos材料的高压功率器件终端设计

基于SIPOS材料的高压功率器件终端设计

作者：殷鹏飞电子科技大学

学位级别：硕士

高压功率电子器件在当今社会的应用已经越来越广泛,占据着不可替代的地位。近年来,随着科研人员的努力及研究的深入,已经出现了很多不同的终端类型且每个终端都有各自的优势,而sipos材料的加入对于终端钝化技术及场板技术是一个新的提... 详细信息

高压功率电子器件在当今社会的应用已经越来越广泛,占据着不可替代的地位。近年来,随着科研人员的努力及研究的深入,已经出现了很多不同的终端类型且每个终端都有各自的优势,而sipos材料的加入对于终端钝化技术及场板技术是一个新的提高。本文主要研究传统场限环终端和VLD终端以及在传统终端基础上加入sipos材料的新型终端,并利用TCAD Silvaco仿真软件对终端进行了仿真分析和对比,主要研究的内容包括以下几个方面:首先,本文阐明了本课题的研究意义并介绍了结终端技术的含义与种类,分析了sipos材料及其特性。详细阐述了结终端技术的发展与应用及sipos材料在终端应用时的原理与效果。进一步地,从理论的角度详细说明了终端耐压的机理与结击穿的原理。分析了碰撞电离系数及雪崩倍增效应,考虑平面结击穿时的电势及耗尽层分布。从电场分布、耗尽层扩展方式等角度分析了四种终端(场板、场限环、结终端扩展及磨角)提高器件击穿电压的原因,分析了在终端中加入sipos材料对终端特性的影响。通过仿真软件TCAD Silvaco建立以IGBT器件为元胞的终端模型,首先设计了传统场限环终端结构,接着在传统场限环终端的基础上加入sipos层设计了新型场限环终端,比较了传统终端与新型终端的击穿特性,并且对新型终端的参数进行了仿真拉偏。接下来又设计了与场限环终端相同元胞的VLD终端且也在传统VLD结构的基础上加入sipos材料。在设计VLD终端时,利用仿真验证了三种不同掩膜版下的VLD形貌并选择了最优方案,同时仿真了在新型VLD终端的工艺条件偏差对终端特性的影响。发现,注入能量、注入剂量、推结时间、推结温度等对终端的击穿特性都有影响且存在优值。仿真了终端耐压随着温度的变化,并分析了原因。最后,分析了两种新型终端与传统终端在击穿特性上的差异且通过仿真验证了新型场限环终端与新型VLD终端随工艺参数漂移发生的变化且分析了原因。随着注入能量、注入剂量、推结时间、推结温度等工艺条件的改变时,VLD结构的形貌如结深,最高浓度等会发生变化,进而影响终端的击穿电压。并且对比了VLD终端与场限环终端的尺寸及工艺容差,分析了两种终端各自的优点。

关键词：高压功率器件结终端技术 sipos IGBT 击穿电压

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sipos执行机构应用中故障分析及处理

电工技术 2015年第9期 65-67页

作者：李珂寇江涛雷欣涛田翠峰中电投平顶山发电分公司河南平顶山467312

以sipos 5FLASH系列执行机构在1 030MW火电机组中的应用为例,简要介绍其结构组成,阐述其一般故障、控制单元故障及机械传动单元故障的故障现象、分析、处理及预防措施,并阐明了控制单元、减速箱的在线及离线处理方法及注意事项,有一定... 详细信息

以sipos 5FLASH系列执行机构在1 030MW火电机组中的应用为例,简要介绍其结构组成,阐述其一般故障、控制单元故障及机械传动单元故障的故障现象、分析、处理及预防措施,并阐明了控制单元、减速箱的在线及离线处理方法及注意事项,有一定的推广意义。

关键词： sipos 5 FLASH卡涩电源板减速箱齿轮箱

sipos 5 FLASH型电动门常见故障及处理方法

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安徽电力科技信息 2010年第5期 34-37页

作者：高岩皖能铜陵发电公司

铜陵发电厂在4号机组锅炉侧主要使用了sipos 5电动执行机构，目前使用的sipos 5 FLASH型电动门分为经济型和专业型。sipos 5电动门的电源板采用变频原理，当环境温度较高时，工作不稳定，而且停送电易发生故障；以下介绍电动门故障处理... 详细信息

铜陵发电厂在4号机组锅炉侧主要使用了sipos 5电动执行机构，目前使用的sipos 5 FLASH型电动门分为经济型和专业型。sipos 5电动门的电源板采用变频原理，当环境温度较高时，工作不稳定，而且停送电易发生故障；以下介绍电动门故障处理详细情况。

关键词： sipos 常见故障电动门 SH型 FLA 电动执行机构铜陵发电厂 4号机组

sipos电动执行机构在火电厂的应用与维护

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SIPOS电动执行机构在火电厂的应用与维护

采用LPCVD生长的sipos薄膜的钝化性质研究和应用

2014年中国发电厂热工自动化技术论坛

作者：沈雪东金涛周怡浙江浙能嘉兴发电有限公司

sipos电动执行机构以其优越的性能,稳定的质量,便捷的维护,在火电厂自动控制系统中有着广泛的应用。本文主要针对sipos专业型电动执行机构在日常运行维护中出现过的常见故障展开分析,并提出了sipos电动执行机构在防误动方面的解决方法。

关键词： sipos 电动执行机构故障误动

来源： cnki会议评论

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微纳电子技术 1986年第3期 7-12页

作者：冯国进王长河

本文阐述了sipos膜的钝化机理,给出了采用LPCVD法生长sipos的方法,并对所生长的sipos进行了多项性能测试,最后给出了分别采用sipos、Si;N;双层钝化结构和SiO;,Si;N;双层钝化结构钝化的晶体管多项对比实验,实验结果表明,sipos钝化膜具有... 详细信息

本文阐述了sipos膜的钝化机理,给出了采用LPCVD法生长sipos的方法,并对所生长的sipos进行了多项性能测试,最后给出了分别采用sipos、Si;N;双层钝化结构和SiO;,Si;N;双层钝化结构钝化的晶体管多项对比实验,实验结果表明,sipos钝化膜具有优良的钝化性能和钝化效果。

关键词：半导体表面晶体管外电场特性曲线电流增益半导体三极管赫德曲线 LPCVD sipos 硅表面反向漏电流

金属场板加sipos电阻场板的新型终端技术

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微电子学 1992年第6期22卷 4-7页

作者：尹贤文何林黄平机电部第24研究所重庆永川632167

本文介绍了一种金属场板结合sipos电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80％以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和sipos电阻场板的互补功能进行了详细的分析。

关键词：金属场板 sipos 电阻场板终端设备

用sipos-SiO_2复合层对4H-SiCn^+pp^+结构钝化的分析

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Journal of Semiconductors 2000年第7期21卷 686-690页

作者：姜岩峰李思渊刘肃曹磊薄建军兰州大学物理系静电感应器件研究所兰州730000

用半绝缘多晶硅 ( sipos) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 sipos层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 sipos层上生长了一层 Si O2 .实际测... 详细信息

用半绝缘多晶硅 ( sipos) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 sipos层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 sipos层上生长了一层 Si O2 .实际测量证实了这种新方法的合理性 .分析了各主要工艺对钝化效果的影响 ,综合优化指出 :在淀积 sipos层时 ,掺氧量要高 ,而淀积温度不应太高 .用此方法钝化的 4H- Si C n+ pp+ 结构 ,击穿电压接近理想值。

关键词：复合层钝化层碳化硅 sipos 二氧化硅

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一种基于sipos结构的高压深结复合终端

电子元件与材料 2021年第6期40卷 591-596页

作者：王振硕李学宝马浩吴昊天华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京102206

为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与sipos(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层sipos结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电... 详细信息

为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与sipos(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层sipos结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电荷的影响更小,同时具有更高的击穿电压。以3.3 kV耐压等级的终端为例,利用仿真软件TCAD对所提出的新型终端复合结构进行了工艺和结构上的仿真,并且对影响新结构击穿电压的关键因素进行了分析。结果表明,随着sipos结构氧含量的减少,新结构的击穿电压不断提高,并且当界面电荷浓度为4×10^(11) cm^(-2)时,新结构仍能满足芯片耐压等级要求。

关键词：终端结构 sipos 界面电荷功率器件复合终端