砷化镓光电发射的初步研究
作者机构：吉林大学物理系光学试办班 学员
出 版 物：《吉林大学学报(自然科学版)》 (Journal of Jilin University)
年 卷 期：1973年第2期
页 面：103-107页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：光电发射 初步研究 GaAs 电子发射 光电阴极 真空能
摘 要：本文主要叙述在高真空条件下,GaAs的光电发射特性。其灵敏度达到了280微安/流明,比传统光电阴极的灵敏度高。
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