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近玻尔速度Ne^(2+)离子穿过碳膜引起的电子发射

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物理学报 2013年第15期62卷 433-438页

作者：虞洋赵永涛王瑜玉王兴程锐周贤明李永峰刘世东雷瑜孙渊博曾利霞中国科学院近代物理研究所兰州730000 中国科学院大学北京100049

本文测量了入射能为2—25keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额.实验中通过改变炮弹离子的能量,系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献.结... 详细信息

本文测量了入射能为2—25keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额.实验中通过改变炮弹离子的能量,系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献.结果表明,离子的势能沉积只对后向电子发射有贡献,前向、后向电子发射产额分别与Ne2+离子在薄膜出射、入射表面的电子能损近似成正比关系,其中电子能损很低(对应于离子能量很低)的时候,反冲原子对电子发射的贡献不能忽略.

关键词：近玻尔速度电子发射电子能损反冲原子

氧化物颗粒尺寸对Mo-La_2O_3阴极电子发射及真空电弧特性的影响(英文)

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稀有金属材料与工程 2015年第9期44卷 2114-2119页

作者：郑雪萍刘丽丽张怀龙李文静王新刚王茂林丁秉钧长安大学陕西西安710061 西安交通大学陕西西安710049

采用高能球磨及热压烧结工艺制备了Mo-4%（质量分数,下同）La2O3纳米复合的阴极材料,其中La2O3的颗粒尺寸小于100 nm;作为比较,商业W-4%Th O2阴极材料中的Th O2颗粒尺寸为1~2μm。Mo-La2O3纳米阴极材料的平均真空起始电场强度为2.97×10... 详细信息

采用高能球磨及热压烧结工艺制备了Mo-4%（质量分数,下同）La2O3纳米复合的阴极材料,其中La2O3的颗粒尺寸小于100 nm;作为比较,商业W-4%Th O2阴极材料中的Th O2颗粒尺寸为1~2μm。Mo-La2O3纳米阴极材料的平均真空起始电场强度为2.97×107V/m,比商业W-Th O2阴极材料低62.7%。纳米复合的Mo-La2O3阴极材料具有优异的电子发射性能,其电子发射点的分布面积和密度明显大于商业W-Th O2阴极材料。氧化物的颗粒尺寸对于阴极材料的电子发射性能以及真空电弧特性有显著的影响。随着La2O3颗粒尺寸的减小,Mo-La2O3阴极材料的电子发射性能提高。当La2O3的颗粒尺寸减小到小于100 nm时,Mo-La2O3阴极材料的电子发射面积和能力显著增加。纳米复合Mo-La2O3阴极材料电子发射性能的增强归因于在相界面上形成了高的内电场和空间电荷区。

关键词：纳米复合阴极电子发射真空电弧

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镀铂栅极抑制电子发射性能研究

稀有金属材料与工程 2005年第11期34卷 1810-1813页

作者：蒋军江炳尧任琮欣张福民冯涛王曦柳襄怀邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:... 详细信息

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理。

关键词：电子发射离子束辅助沉积钼栅极铂膜

槽型空心阴极放电中槽底阴极面的电子发射对放电的影响

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物理学报 2002年第9期51卷 2080-2085页

作者：余建华赖建军黄建军王新兵丘军林深圳大学工程技术学院光子信息工程系深圳518060 华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉430074 深圳大学理学院深圳518060

运用粒子和流体组合模型理论研究了槽型空心阴极放电中槽底阴极面上二次电子发射对放电等离子体特性、电离特性及阴极溅射的影响 .研究表明 ,从槽底阴极面发射的电子在进入负辉区后 ,可以形成振荡电子 ,因而具有增强电离的作用 .根据各... 详细信息

运用粒子和流体组合模型理论研究了槽型空心阴极放电中槽底阴极面上二次电子发射对放电等离子体特性、电离特性及阴极溅射的影响 .研究表明 ,从槽底阴极面发射的电子在进入负辉区后 ,可以形成振荡电子 ,因而具有增强电离的作用 .根据各阴极面上的离子的空间分布可以推知槽底附近的阴极面上的溅射较强。

关键词：槽型空心阴极槽底阴极面电子发射空心阴极放电阴极溅射气体激光自洽模型激励金属离子激光器

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反铁电陶瓷的强电子发射特性研究

物理学报 2008年第7期57卷 4590-4595页

作者：盛兆玄冯玉军黄璇徐卓孙新利西安交通大学电子材料研究所西安710049 第二炮兵工程学院103教研室西安710025

采用掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料,研究了脉冲电压激励下陶瓷的电子发射特性.当激励电压为800V、抽取电压为0V时,得到1.27A/cm2的发射电流密度;当抽取电压增加到4kV时,获得1700A/cm2的发射电流密度.分析了发射电流随抽取电压... 详细信息

采用掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料,研究了脉冲电压激励下陶瓷的电子发射特性.当激励电压为800V、抽取电压为0V时,得到1.27A/cm2的发射电流密度;当抽取电压增加到4kV时,获得1700A/cm2的发射电流密度.分析了发射电流随抽取电压的变化关系,讨论了反铁电陶瓷强电子发射的内在机理.结果表明:掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷能够在较低的激励电压(400V)下实现电子发射,发射电流远大于按照Child-Langmuir定律计算出的电流,三接点附近局域反铁电—铁电相变产生初始电子发射,初始电子电离中性粒子形成等离子体,增强了电子发射.

关键词：铁电阴极反铁电体电子发射

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铌镁酸铅-钛酸铅铁电阴极电子发射特性

物理学报 2015年第24期64卷 371-377页

作者：王秋萍冯玉军徐卓成鹏飞凤飞龙西安工程大学理学院西安710048 西安交通大学电子材料研究所电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049

研究了铌镁酸铅-钛酸铅铁电材料的铁电、介电性能对阴极发射阈值电压的影响,以及铁电阴极发射电流与激励脉冲电压和抽取电压之间的关系,并分析了其发射机理.结果表明,室温介电常数高、极化强度变化量大的弛豫铁电体0.9Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/... 详细信息

研究了铌镁酸铅-钛酸铅铁电材料的铁电、介电性能对阴极发射阈值电压的影响,以及铁电阴极发射电流与激励脉冲电压和抽取电压之间的关系,并分析了其发射机理.结果表明,室温介电常数高、极化强度变化量大的弛豫铁电体0.9Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.1PbTiO_3具有较小的发射阈值电压;铁电阴极电子发射与快极化反转和等离子体的形成有关;由极化反转所致电子发射的自发射电流随激励脉冲电压的增大呈幂律增长关系,其发射电流开始于激励脉冲电压的下降沿;在抽取电压较大时,发射电流随抽取电压的增大呈线性增长关系,说明大电流主要取决于抽取电压;其发射电流开始于激励脉冲电压的上升沿,与"三介点"处的场增强效应和等离子体的形成有关;当抽取电压为2500 V时,得到的发射电流幅值为210 A,相应的电流密度为447 A/cm^2.

关键词：铌镁酸铅-钛酸铅铁电阴极电子发射

快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

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物理学报 2002年第2期51卷 367-371页

作者：卢励吾张砚华徐遵图徐仲英王占国 J.Wang WeikunGe 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室北京100083 中国科学院半导体研究所光电子工程中心北京100083 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 香港科技大学物理系

研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ... 详细信息

研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .

关键词：量子阱快速热处理电子发射 DX中心激光二极管 RTA InGaAs/GaAs 半导体激光器铟镓砷化合物砷化镓

反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响

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物理学报 2010年第11期59卷 7803-7807页

作者：王建国徐忠锋赵永涛王瑜玉李德慧赵迪肖国青西安交通大学应用物理系物质非平衡合成与调控教育部重点实验室西安710049 中国科学院近代物理研究所兰州730000

在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105m/s≤vP≤1.42×106m/s)He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表... 详细信息

在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源高电荷态原子物理实验平台上,用低能(0.75keV/u≤EP/MP≤10.5keV/u,即3.8×105m/s≤vP≤1.42×106m/s)He2+,O2+和Ne2+离子束正入射到自清洁Si表面时二次电子发射产额的实验结果.结果表明电子发射产额γ近似正比于入射离子动能EP/MP.在相同动能下,γ(O)>γ(Ne)>γ(He),对于原子序数ZP比较大的O2+和Ne2+离子,ZP大者反而γ小,这与较高入射能量时的结果截然不同.通过计算不同入射能量下入射离子的阻止能损S,发现反冲原子对激发二次电子的作用随入射离子能量的降低显著增大,这正是导致在较低能量范围内二次电子发射产额与较高入射能量时存在差异的主要原因.

关键词：低速高电荷态离子电子发射反冲原子阻止能损

负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

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物理学报 2009年第6期58卷 4249-4253页

作者：张琳丽徐卓冯玉军盛兆玄西安建筑科技大学物理系西安710055 西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室西安710049

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500V;当激励电压为... 详细信息

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500V;当激励电压为500V,抽取电压为3.5kV时,得到690A发射电流.结果表明,PLZST反铁电陶瓷发射阈值电压低,发射电流大,即使激励电场低于陶瓷的正向开关电场,仍能得到强发射电流.最后,讨论了PLZST反铁电陶瓷在负脉冲激励下电子发射内在机制.

关键词：反铁电材料铁电阴极电子发射