镀铂栅极抑制电子发射性能研究

作     者：蒋军 江炳尧 任琮欣 张福民 冯涛 王曦 柳襄怀 邹世昌 Jiang Jun;Jiang Bingyao;Ren Congxin;Zhang Fumin;Feng Tao;Wang Xi;Liu Xianghuai;Zou Shichang

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2005年第34卷第11期

页      面：1810-1813页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目"973"资助(G2000067207-2) 

主　　题：电子发射 离子束辅助沉积 钼栅极 铂膜 

摘      要：利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理。