硅光电二极管的特性分析与参数测量
作者机构：北京建工学院
出 版 物：《实验技术与管理》 (Experimental Technology and Management)
年 卷 期：1987年第1期
页 面：33-38页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 082302[工学-交通信息工程及控制] 0823[工学-交通运输工程]
主 题：硅光电二极管 等效电路 等值电路 参数测量 暗电流 特性分析
摘 要：一、前言硅光电二极管是一种新型光电元件,对光信号响应快、灵敏度高、稳定性好、线性好、噪声低,因此在有关光电转换的精密测量中被广泛采用。如激光功率测量下限可到10-8W。光耦合隔离器、光学数据传输装置、光学通讯都用到它。本文就光电二极管的物理特性和参数选择做些探讨,并对几个重要参数进行了测量,可供参考。二、硅光电二极管的基本结构和工作原理硅光电二极管的基本结构如图1所示,由于载流子的扩散,在P+区和N区之间形成一个PN结。P+区是透明的,光子可以通过P+区到达PN结区,由于光子的激发作用,
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