检索结果-南通市图书馆

光机电信息 2003年第6期20卷 43-43页

硅光电二极管与电荷灵敏前置放大器在中微子实验中的设计应用研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

核电子学与探测技术 2002年第2期22卷 136-138,165页

作者：张志勇刘正山程昶李金刘延石峰王子敬中国辐射防护研究院山西太原030006 中国科学院高能物理研究所北京918信箱100039 台湾中研院物理所台湾台北11529

在台湾中微子实验项目先期研究中 ,用硅光电二极管测读中微子作用于 Cs I(Tl)晶体的光谱信号。

关键词： CsI(Tl)晶体硅光电二极管电荷灵敏前置放大器中微子实验设计碘化铯晶体

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

强激光与粒子束 2004年第6期16卷 685-688页

作者：罗福江继军孙承纬中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900

对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量 ,对从 1s到 6 0fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明 ,在 1s到 10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表... 详细信息

对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量 ,对从 1s到 6 0fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明 ,在 1s到 10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成 ,而 6 0fs激光辐照下的损伤阈值为 0 .1J/cm2 。

关键词：飞秒激光硅光电二极管损伤阈值脉宽效应

硅光电二极管探测器在低能X射线辐射场上的标定

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

计量学报 2021年第6期42卷 806-810页

作者：黄林茹姚馨博王继陈灿孙坚郭思明郭晓炜张小改徐红伟中国计量大学浙江杭州310018 浙江省计量科学研究院浙江杭州310018 中国计量科学研究院北京100029

在同步辐射X射线能量标定前,需要对作为传递探测器的硅光电二极管进行标定。利用低能X射线10~50 kV空气比释动能基准装置,研究硅光电二极管的辐射响应并用它测量辐射场的均匀野大小。将硅光电二级管AXUV-100G置于低能X射线基准辐射场中... 详细信息

在同步辐射X射线能量标定前,需要对作为传递探测器的硅光电二极管进行标定。利用低能X射线10~50 kV空气比释动能基准装置,研究硅光电二极管的辐射响应并用它测量辐射场的均匀野大小。将硅光电二级管AXUV-100G置于低能X射线基准辐射场中,测得AXUV-100G作为传递探测器在10~40 keV能量范围的能量响应较高,在各个辐射质条件下复现空气比释动能的不确定度均为0.57%。AXUV-100G在距离光机焦斑1 m处测量得到均匀性优于99%的辐射野直径约为61 mm,优于95%时约为96 mm,满足次级传递标准量值复现与传递的要求。

关键词：计量学低能X射线硅光电二极管均匀野刻度因子

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响

红外与激光工程 2016年第3期45卷 143-147页

作者：骆冬根邹鹏陈迪虎王羿洪津中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽合肥230031 中国科学技术大学安徽合肥230031

研究了伽马(γ)射线辐照对星上定标用硅光电二极管性能的影响。使用硅光电二极管分别接受20 krad(Si)、35 krad(Si)、50 krad(Si)总剂量的γ射线辐照,对比了器件在不同辐照剂量下暗电流及光谱响应度的变化。结果显示在35 krad(Si)以下... 详细信息

研究了伽马(γ)射线辐照对星上定标用硅光电二极管性能的影响。使用硅光电二极管分别接受20 krad(Si)、35 krad(Si)、50 krad(Si)总剂量的γ射线辐照,对比了器件在不同辐照剂量下暗电流及光谱响应度的变化。结果显示在35 krad(Si)以下剂量照射下,硅光电二极管暗电流及光谱响应度均未发现明显的变化,在50 krad(Si)剂量照射下,参试样品出现暗电流增加的现象,但该变化在定标器应用过程中带来的影响可以忽略。试验结果表明,参试的硅光电二极管在空间辐照环境下具有良好的稳定性及可靠性,可以作为在轨定标器可见波段探测单元备选器件。

关键词：伽马射线辐照硅光电二极管暗电流光谱响应度

硅光电二极管作为CsI（Tl）晶体读出元件的实验研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高能物理与核物理 1996年第10期20卷 890-893页

作者：何景棠陈端保李祖豪毛裕芳董晓黎中国科学院高能物理研究所

报道了硅光电二极管作为ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体读出元件的实验研究．测量了日本Ｈａｍａｍａｔｓｕ生产的两种硅光电二极管的读出性能，包括能量分辨率与偏压、成形时间、灵敏面积和晶体尺寸的关系．

关键词：硅光电二极管 CsI晶体能量分辨率闪烁体

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅光电二极管的特性分析与参数测量

实验技术与管理 1987年第1期 33-38页

作者：吴石明北京建工学院

一、前言硅光电二极管是一种新型光电元件,对光信号响应快、灵敏度高、稳定性好、线性好、噪声低,因此在有关光电转换的精密测量中被广泛采用。如激光功率测量下限可到10-8W。光耦合隔离器、光学数据传输装置、光学通讯都用到它。本文... 详细信息

一、前言硅光电二极管是一种新型光电元件,对光信号响应快、灵敏度高、稳定性好、线性好、噪声低,因此在有关光电转换的精密测量中被广泛采用。如激光功率测量下限可到10-8W。光耦合隔离器、光学数据传输装置、光学通讯都用到它。本文就光电二极管的物理特性和参数选择做些探讨,并对几个重要参数进行了测量,可供参考。二、硅光电二极管的基本结构和工作原理硅光电二极管的基本结构如图1所示,由于载流子的扩散,在P+区和N区之间形成一个PN结。P+区是透明的,光子可以通过P+区到达PN结区,由于光子的激发作用,

关键词：硅光电二极管等效电路等值电路参数测量暗电流特性分析

硅光电二极管的光谱响应测量及其响应时间研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

现代物理 2020年第5期10卷 73-78页

作者：曾丽娜李林李再金杨红李功捷赵志斌李志波乔忠良曲轶刘国军海南师范大学物理与电子工程学院海南省激光技术与光电功能材料重点实验室海南海口

在气流和温度稳定,卤素灯照明为背景光的环境下,当硅光电二极管未达到最大响应时测量了硅光电二极管对入射光波长为400 nm至1050 nm的光谱响应。分析了硅光电二极管的光谱响应的影响条件和硅光电二极管的光谱响应规律。在测光电路中采... 详细信息

在气流和温度稳定,卤素灯照明为背景光的环境下,当硅光电二极管未达到最大响应时测量了硅光电二极管对入射光波长为400 nm至1050 nm的光谱响应。分析了硅光电二极管的光谱响应的影响条件和硅光电二极管的光谱响应规律。在测光电路中采用不同的负载电阻和偏置电压测试硅光电二极管的响应时间,解释了硅光电二极管的物理特性。

关键词：硅光电二极管光谱响应时间响应