光致发光测定6H－SiC中的氮掺杂浓度
出 版 物：《半导体情报》 (Semiconductor Information)
年 卷 期：1995年第32卷第5期
页 面：40-42页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法。该方法对于１０￣（１４）～１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中激励强度、温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。
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