溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响
INFLUENCE OF DEPOSITION POWER ON THE COMPOSITION, STRUCTURE AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING作者机构:南昌大学物理系江西南昌330047 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083
出 版 物:《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期:2004年第23卷第4期
页 面:313-316页
核心收录:
学科分类:080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:上海市自然科学基金 ( 0 0ZE14 0 71) 江西省自然科学基金资助项目 ( 0 15 0 0 16)
主 题:射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 铁电薄膜 PZT 扫描电子显微镜分析
摘 要:用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP AES)测量其组分 ,X射线衍射 (XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向 ,扫描电子显微镜 (SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果 ,RT6 6A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性 .结果表明 ,PZT薄膜的组分。