非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应
作者机构：中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800
出 版 物：《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)
年 卷 期：2002年第47卷第8期
页 面：569-571页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：光致效应 GeS2 GeSe2 非晶硫系半导体薄膜 光致漂白 光致结晶 光存储材料 绿移
摘 要：报道了GeS_2和GeSe_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置.通过透射电子显微镜测试,在光照后的GeS_2和GeSe_2薄膜中观察到光致结晶现象.利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料.
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