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第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：周正基张鑫武四新河南大学

用1,2-乙二硫醇和1,2-乙二胺混合溶剂溶解金属单质制备CuZnSnS(e)(CZTSSe)吸收层薄膜,可以成功的用溶液法制备出较高效率的CZTSSe太阳能电池。但是与肼溶剂相比,基于此混合溶剂制备的CZTSSe吸收层薄膜仍存在结晶质量较差的问题。吸收层... 详细信息

用1,2-乙二硫醇和1,2-乙二胺混合溶剂溶解金属单质制备CuZnSnS(e)(CZTSSe)吸收层薄膜,可以成功的用溶液法制备出较高效率的CZTSSe太阳能电池。但是与肼溶剂相比,基于此混合溶剂制备的CZTSSe吸收层薄膜仍存在结晶质量较差的问题。吸收层底部较厚的小晶粒层和表面较多的孔洞会明显降低CZTSSe光伏器件的能量转换效率。在本研究中,我们在CZTSSe吸收层薄膜上表面热蒸镀一层纳米厚度的gese薄膜,然后进行适当温度的退火处理。结果表明,合适厚度的gese后处理工艺可以显著改善CZTSSe吸收层薄膜的质量,减少吸收层薄膜表面的空洞,从而改善了pn结界面的载流子输运性能,使CZTSSe太阳能电池的光电转换效率从基础的9.48%提高到11.51%。

关键词： CZTSSe 太阳能电池吸收层薄膜 gese2

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gese_2非晶半导体薄膜中光致结构及性能变化

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光学学报 2002年第5期22卷 636-640页

作者：刘启明干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

运用X射线衍射分析、红外光谱分析、扫描电镜分析和透射光谱分析 ,研究了gese2 非晶半导体薄膜经5 14.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化。实验结果表明 ,经热处理和激光辐照后 ,薄膜的光学吸收边均移向短波长处 ,这种移动随... 详细信息

运用X射线衍射分析、红外光谱分析、扫描电镜分析和透射光谱分析 ,研究了gese2 非晶半导体薄膜经5 14.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化。实验结果表明 ,经热处理和激光辐照后 ,薄膜的光学吸收边均移向短波长处 ,这种移动随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增大 ,并且在退火薄膜中是可逆的。扫描电镜分析结果表明 ,薄膜在激光辐照后有微晶析出 ,这种微晶的析出量随着辐照激光强度的增强而增加。

关键词： gese2 非晶半导体薄膜氩离子激光辐照光致结构性能变化硒化锗非晶半导体材料

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二维gese_2面内各向异性及短波偏振光探测研究

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物理化学学报 2019年第4期35卷 345-346页

作者：刘忠范北京大学化学与分子工程学院北京100871

作为一种新型的二维半导体材料,黑磷因其独特的面内各向异性引起了研究人员的广泛关注1。近期,几种其它面内各向异性二维材料(如ReS2、ReSe2、SnS、gese 等)也被相继报道2-5。

关键词：各向异性二维材料 gese2 面内光探测偏振短波半导体材料

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非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应

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科学通报 2002年第8期47卷 569-571页

作者：刘启明干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

报道了GeS_2和gese_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置.... 详细信息

报道了GeS_2和gese_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置.通过透射电子显微镜测试,在光照后的GeS_2和gese_2薄膜中观察到光致结晶现象.利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料.

关键词：光致效应 GeS2 gese2 非晶硫系半导体薄膜光致漂白光致结晶光存储材料绿移

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宽禁带二维半导体在光电探测器中的应用

宽禁带二维半导体在光电探测器中的应用

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作者：李洁河南师范大学

学位级别：硕士

宽带隙二维范德瓦尔斯（2D vd W）材料在半导体器件研究中引起人们的兴趣。由于其特殊的宽带隙能带结构,使得其在光电探测等方面发展迅速。然而,仍有一些因素限制了宽禁带二维半导体材料的性能,开发具有高响应度和快速响应的良好光电探... 详细信息

宽带隙二维范德瓦尔斯（2D vd W）材料在半导体器件研究中引起人们的兴趣。由于其特殊的宽带隙能带结构,使得其在光电探测等方面发展迅速。然而,仍有一些因素限制了宽禁带二维半导体材料的性能,开发具有高响应度和快速响应的良好光电探测器仍然具有挑战性。硒化锗（gese）作为二维宽带隙半导体（WBSs）的典型成员,因其优异的柔性、优越的环境稳定性、超高的紫外吸收系数和显著的光谱选择性,在紫外光电探测领域显示出巨大的潜力。然而,基于gese的紫外探测器存在工作电压高、光电流小的问题,阻碍了其实际成像应用。在本文中,构建了垂直堆叠的石墨烯/gese/石墨烯范德华异质结,获得了具有优异性能的光电探测器;还基于宽禁带SnS材料设计了一种近裂隙gese/SnS/InSe异质结构自供电光电探测器,实现了高灵敏度的宽带光电探测。主要的研究结果为:（1）采用机械剥离和干法转移制备了垂直堆叠的石墨烯/gese/石墨烯范德华异质结,系统分析了不同厚度gese的载流子传输机制和几个重要光电参数。通过石墨烯电极在gese中高效收集光激发载流子,从而获得了出色的紫外检测性能。当用405 nm波长的激光照射时,响应度达到了37.1 A W、比探测率为8.83×10 Jones以及在355 nm光照下显示出10～5的超高开/关比。此外,在gese和石墨烯之间建立肖特基势垒并减小通道长度,可将光响应速度提高到300μs。解决了其在实际应用中的超低光电流（p A）和高工作电压,高功耗的问题。这些发现为未来垂直二维范德华异质结构光电探测器的应用奠定了基础。（2）将SnS作为空穴势垒层,制备了一种近裂隙的gese/SnS/InSe异质结构的高性能自供电宽带光电探测器。该器件显示出0.57 V的超高开路电压(V),在355 nm处具有1.87 A W的高功率响应率,以及自供电模式下8μs的快速响应时间。基于近裂隙的能带排列,具有高电子迁移率的InSe层可以有效地收集来自gese层的光生电子,以提高转换效率。此外,界面处的单极空穴势垒可以抑制Langevin重组,从而导致V增强。值得注意的是,器件中光电流的各向异性比增强到3.5,高于gese光电探测器和其他各向异性器件。这项工作为实现高灵敏度偏振敏感宽带光电探测器提供了机会。

关键词：宽禁带半导体 gese2 偏振近裂隙宽带光电探测器

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