常γ砷化镓电调变容二极管设计与实验研究
Design and Experimental Investigation of GaAs Electronic Tuning Varactor with Constant Gamma作者机构：南京电子器件研究所210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1992年第12卷第4期
页 面：314-320页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散管芯结构,制得了γ=1和1.25的GaAs电调变容二极管,在2～18GHz宽带线性压控振荡器中获得了满意的使用结果。
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