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音响维修 1996年第12期 33-36页

作者：高雨春

基于肖特基变容二极管的0.17THz二倍频器研制

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红外与激光工程 2015年第3期44卷 947-950页

作者：缪丽黄维蒋均郭桂美中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川绵阳621900

研制了一种基于肖特基变容二极管的0.17 THz二倍频器,该器件为0.34 THz无线通信系统收发前端提供了低相噪、低杂散的本振信号。倍频器结构基于波导腔体石英基片微带电路实现,其核心器件是多结正向并联的肖特基变容二极管。文中采用结参... 详细信息

研制了一种基于肖特基变容二极管的0.17 THz二倍频器,该器件为0.34 THz无线通信系统收发前端提供了低相噪、低杂散的本振信号。倍频器结构基于波导腔体石英基片微带电路实现,其核心器件是多结正向并联的肖特基变容二极管。文中采用结参数模型和三维电磁模型相结合的方式对二极管进行建模,通过两种电路匹配方式实现了0.17 THz二倍频器的最优化设计,最终完成器件的加工及测试。测试结果表明,在输入80~86 GHz,20 d Bm的驱动信号下,倍频器的最大输出功率达12.21 m W,倍频效率11%,输出频点为163 GHz;当前端输入功率达到饱和状态时,该频点输出功率可达21.41 m W。

关键词：太赫兹技术二倍频器变容二极管倍频源

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变容二极管在 TCXO 中引起的频率波动

计量学报 1998年第3期19卷 231-233页

作者：周雪芬中国计量科学研究院

变容二极管在ＴＣＸＯ中引起的频率波动ＴｈｅＧｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆＦｒｅｑｕｅｎｃｙＦｌｕｃｔｕａｔｉｏｎｂｙＶａｒａｃｔｏｒＤｉｏｄｅｉｎＴＣＸＯ周雪芬（中国计量科学研究院，北京１０００１３）本文于１９９７－０９... 详细信息

变容二极管在ＴＣＸＯ中引起的频率波动ＴｈｅＧｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆＦｒｅｑｕｅｎｃｙＦｌｕｃｔｕａｔｉｏｎｂｙＶａｒａｃｔｏｒＤｉｏｄｅｉｎＴＣＸＯ周雪芬（中国计量科学研究院，北京１０００１３）本文于１９９７－０９－２４收到，１９９８－０２－０９修...

关键词：石英晶体振荡器变容二极管 TCXO 频率波动

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变容二极管的应用 1

1989年

作者：吴志田

本书在阐明变容二极管的工作原理、各种特性的基础上,给出了若干工程设计公式、数据和曲线,以及实用线路。

ISBN: (纸本)7118001090

本书在阐明变容二极管的工作原理、各种特性的基础上,给出了若干工程设计公式、数据和曲线,以及实用线路。

关键词：变容二极管学科:应用

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变容二极管倍频器

电子技术（上海） 1990年第9期17卷 26-28页

作者：黄精诚

在高频电路中,变容管能产生丰富的谐波和具有高的效率,被越来越广泛地用于调频振荡、参量倍频、参量混频、参量放大和电调谐等电路中。本文只讨论变容二极管倍频器。一、变容管倍频原理变容二极管是一种非线性电容元件,它的PN结势垒电... 详细信息

在高频电路中,变容管能产生丰富的谐波和具有高的效率,被越来越广泛地用于调频振荡、参量倍频、参量混频、参量放大和电调谐等电路中。本文只讨论变容二极管倍频器。一、变容管倍频原理变容二极管是一种非线性电容元件,它的PN结势垒电容能够灵敏地随反向偏压的改变而变化。当所加反向偏压较低时,变容二极管的等效电容就大。当所加反向偏压较高时,变容管的等效电容就小。

关键词：倍频器变容二极管二极管

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变容二极管调频电路实验的创新与改进

实验技术与管理 2015年第7期32卷 41-45页

作者：杨光义王雪迪金伟正王晓艳武汉大学电子信息学院湖北武汉430072

以变容二极管调频实验为核心,将LC振荡、晶体振荡、倍频和选频等实验巧妙组合,设计了一套综合振荡和倍频的变容二极管调频倍频实验电路。该实验电路涉及的实验内容丰富,综合性强,学生可以通过实验全面理解和掌握相关知识。教学实践表明... 详细信息

以变容二极管调频实验为核心,将LC振荡、晶体振荡、倍频和选频等实验巧妙组合,设计了一套综合振荡和倍频的变容二极管调频倍频实验电路。该实验电路涉及的实验内容丰富,综合性强,学生可以通过实验全面理解和掌握相关知识。教学实践表明,该实验效果良好,适合在高等院校推广应用。

关键词：变容二极管调频电路倍频选频

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变容二极管特性参数的自动测量系统

变容二极管特性参数的自动测量系统

作者：柳会苏州大学

学位级别：硕士

变容二极管作为一种可调谐电抗元件，广泛应用于自动频率控制、振荡电路、调频以及各种通信系统中。在变容二极管的实际应用中，产品参数值通常由供应商提供的资料数据中查获，但可以发现，能够直接获得的参数值基本是应用于中低频的电... 详细信息

变容二极管作为一种可调谐电抗元件，广泛应用于自动频率控制、振荡电路、调频以及各种通信系统中。在变容二极管的实际应用中，产品参数值通常由供应商提供的资料数据中查获，但可以发现，能够直接获得的参数值基本是应用于中低频的电路中，频率范围在千赫兹至兆赫兹之间。随着射频应用的广泛，在仿真射频电路如3.4GHz压控振荡器时，同样需要获得变容二极管的一些基本射频参数值，保证仿真的准确性。由此，设计一个专门用来测量提取变容二极管射频特性参数的平台是十分必要且有意义的工作。然而，人工测量过程相对比较繁琐，效率低，且极易受到干扰，自动化测试软件的开发使得测量工作简单便捷且已经得到业界的广泛关注。本文首先在熟悉微波网络理论的基础上,仿真设计并制做了变容二极管射频特性参数的测量平台。其次利用普通电容器校验测量平台，验证其准确性与可靠性，为后续变容管的测量奠定了基础。接着重点研究了矢量网络分析仪远程控制技术，利用VB编程自动测量界面，最终与测量平台一起形成了一套完整的变容二极管特性参数的自动测量系统。本文共分三部分。第一部分主要介绍微波理论，首先介绍微波网络分析法及单端口和双端口网络，主要对微波网络中的散射矩阵和转移矩阵做了比较详细的阐述，为下一章内容做理论铺垫。第二部分主要是变容二极管测量平台的仿真及制作，首先提出了以传输线和短截线构成的测量平台结构，利用传输线理论推导了测试公式和参数提取方法，然后利用仿真软件HFSS设计出了测量平台结构的尺寸参数，并用微波介质板加工成实物，最后使用一款普通电容验证测试平台的可靠性及准确性。第三部分是自动测量系统的设计，首先介绍了虚拟仪器技术及测量系统的硬件组成，然后重点介绍了程控计算机与矢量网络分析仪之间建立正常通信的过程及系统中各功能模块的设计实现过程，针对各个模块做了界面图示及操作介绍。最后利用该自动测量系统对一款变容二极管BBY51-02W进行测量，系统自动生成测量结果报告并以WORD格式保存。本文提出并制作了变容二极管测量平台，利用VB编写界面并实现了对矢量网络分析仪的远程控制，形成了一套完整的变容二极管射频特性参数的自动测量系统，为其他微波自动测量系统的开发做参考。

关键词：变容二极管微波自动测量 VB 虚拟仪器矢量网络分析仪

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常γ砷化镓电调变容二极管设计与实验研究

固体电子学研究与进展 1992年第4期12卷 314-320页

作者：潘乃琦胡荣中林叶南京电子器件研究所 210016

电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散... 详细信息

电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散管芯结构,制得了γ=1和1.25的GaAs电调变容二极管,在2～18GHz宽带线性压控振荡器中获得了满意的使用结果。

关键词：砷化镓变容二极管设计

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WB系列砷化镓变容二极管

固体电子学研究与进展 1994年第3期14卷 292-293页

作者：林叶潘乃琦

ＷＢ系列砷化镓变容二极管ＷＢＳｅｒｉａｌＧａＡｓＶａｒａｃｔｏｒｓＧａＡｓ变容管具有优良的微波性能，已广泛应用于微波电路中。从７０年代起，南京电子器件研究所开始研制ＧａＡｓ变容管，目前，产品已形成系列化，具有电性能好... 详细信息

ＷＢ系列砷化镓变容二极管ＷＢＳｅｒｉａｌＧａＡｓＶａｒａｃｔｏｒｓＧａＡｓ变容管具有优良的微波性能，已广泛应用于微波电路中。从７０年代起，南京电子器件研究所开始研制ＧａＡｓ变容管，目前，产品已形成系列化，具有电性能好，可靠性高等优点，在国内得到广泛应...

关键词： WB系列砷化镓变容二极管

(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管

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Journal of Semiconductors 2005年第4期26卷 745-750页

作者：韦文生王天民张春熹李国华卢励吾北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心北京100083 北京航空航天大学光电技术研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于... 详细信息

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.

关键词： (p)nc-Si H薄膜 (p)nc Si H/(n)c Si异质结变容二极管