集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展

作     者：武峥 牛新环 何潮 董常鑫 李鑫杰 胡槟 李佳辉 Wu Zheng;Niu Xinhuan;He Chao;Dong Changxin;Li Xinjie;Hu Bin;Li Jiahui

作者机构：河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心天津300130 河北省微电子专用材料与器件工程中心天津300130 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2025年第50卷第1期

页      面：1-9页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点研发计划(2023YFB3507100) 国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007) 国家自然科学基金(62074049) 河北省自然科学基金(F2021202009) 河北省专业学位精品案例库建设项目(KCJPZ2023007) 

主　　题：缓蚀剂 表面活性剂 化学机械抛光(CMP) 协同作用 金属腐蚀抑制 

摘      要：在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了国内外多试剂协同中两种缓蚀剂、表面活性剂与缓蚀剂、两种表面活性剂的复配协同在集成电路CMP金属腐蚀抑制应用中的研究进展,并延伸到碳钢金属等防腐领域,最后对CMP领域中多试剂协同抑制的发展进行了展望。