降低功率MOSFET导通电阻R_(ON)的研究进展
Progress in the Research of R_(ON) for power MOSFET作者机构：北京工业大学
出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)
年 卷 期：2007年第5卷第4期
页 面：13-18页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：MOSFET 导通电阻 COOLMOSFET SuperJunction RESURE FLIMOSFET Super 3D
摘 要：本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。
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