光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质
作者机构：上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室上海市200030
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1993年第10卷第3期
页 面：45-48页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：硅膜 氮化硅薄膜 工艺 气相 光化学 X射线光电子能谱(XPS) AES 淀积 二次离子质谱 SIMS
摘 要：采用红外吸收光谱(IR)、俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析.
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