GaN基HEMT器件的优化设计

作     者：冯嘉鹏 赵红东 孙渤 段磊 郭正泽 陈洁萌 姚奕洋 Feng Jiapeng;Zhao Hongdong;Sun Bo;Duan Lei;Guo Zhengze;Chen Jiemeng;Yao Yiyang

作者机构：河北工业大学信息工程学院电子材料与器件天津市重点实验室天津300401 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050000 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第11期

页      面：817-821页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(F2013202256) 

主　　题：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件参数 性能 场板 自热效应 

摘      要：针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。