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检索条件"机构=河北工业大学信息工程学院电子材料与器件天津市重点实验室"
754 条 记 录,以下是1-10 订阅
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石墨烯-金纳米材料修饰电极用于L-酪氨酸的检测
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高等学校化学学报 2024年 第4期45卷 10-18页
作者: 马勤政 王伟 梁旭婷 河北工业大学电子信息工程学院 天津300401 天津市电子材料器件重点实验室 天津300401
采用一种绿色简单的电化学方法将还原氧化石墨烯-金纳米复合薄膜共沉积到玻碳电极(GCE)上,作为传感器用于L-酪氨酸(L-Tyr)的检测.采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对修饰电极进行了表征.采用差分脉冲伏安法(... 详细信息
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Cs_(2)AgBi_(0.75)Sb_(0.25)Br_(6)钙钛矿太阳能电池的优化设计
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物理学报 2024年 第2期73卷 317-326页
作者: 王月荣 田汉民 张登琪 刘维龙 马旭蕾 河北工业大学电子信息工程学院 天津300401 天津电子材料器件实验室 天津300401
双钙钛矿太阳能电池以其低成本、高性能、环境友好、稳定性强而备受关注.本研究使用Silvaco TCAD分析了Cs_(2)AgBi_(0.75)Sb_(0.25)Br_(6)太阳能电池的钙钛矿层厚度、能带偏移、金属电极功函数、传输层厚度及掺杂浓度与器件效率的关系,... 详细信息
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增益分布对GaN基蓝光微盘激光器模式分布和发光功率的影响
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红外与激光工程 2024年 第1期53卷 136-143页
作者: 许湘钰 刘召强 贾童 楚春双 张勇辉 张紫辉 河北工业大学电子信息工程学院 天津300401 河北工业大学天津市电子材料器件重点实验室 天津300401 河北工业大学河北省先进激光技术与装备重点实验室 天津300401
通过FDTD仿真模拟计算,文中系统地研究了电流阻挡作用对GaN基蓝光激光器增益分布和光学性能的影响,发现回音壁激光模式主要在靠近微盘边缘1.5个波长范围谐振,因此,如果电流阻挡层面积太小,无法最大化减小激光器电流阈值;如果面积太大,... 详细信息
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结合周边视觉的轻量级立体图像质量评价方法
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电子·激光 2024年
作者: 王杨 贾曦然 隆海燕 韩力英 河北工业大学天津市电子材料器件重点实验室 河北工业大学电子信息工程学院
针对立体图像质量预测偏差问题,基于人眼视觉模型,提出一种结合周边视觉信息的轻量级立体图像质量评价方法。首先,构建双目感知模型获取中央凹视觉区与周边视觉区,利用对称式立体信息融合模块加强视差信息;然后,通过轻量级特征提... 详细信息
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椰油酰胺丙基甜菜碱对多晶硅栅极化学机械平坦化的影响
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润滑与密封 2024年
作者: 刘德正 周建伟 罗翀 王辰伟 王雪洁 张国林 田雨暄 孙纪元 河北工业大学电子信息工程学院 河北工业大学天津市电子材料器件重点实验室
为了提高多晶硅化学机械抛光(CMP)时对SiO2和Si3N4的选择比,通过抛光实验、接触角分析、XPS光电子能谱分析、AFM测试等手段,分析了椰油酰胺丙基甜菜碱(CAB)对多晶硅CMP的影响。CAB的加入,降低了抛光时的温度和摩擦力,CAB浓度为300 ... 详细信息
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面向人眼宽视场视觉成像质量的评价方法
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计算机工程与设计 2024年 第4期45卷 1157-1165页
作者: 王杨 隆海燕 贾曦然 河北工业大学电子信息工程学院 天津300401 河北工业大学天津市电子材料器件重点实验室 天津300401
为考虑边缘视觉的影响,实现对人眼宽视场条件下视觉成像质量的量化,提出一种基于孪生神经网络的多视域成像质量评价方法。构建个性化眼模型,根据波前像差值获得不同视场处的成像图;利用色彩差异分割成像图中的不同区域,将其作为子图像... 详细信息
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一款高增益双脊喇叭天线
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现代雷达 2024年 第8期46卷 71-77页
作者: 凡创 赵全明 李天成 刘玉 毛露 河北工业大学电子信息工程学院 天津300401 天津市电子材料器件重点实验室 天津300401
为了满足实际干扰测试需求,设计了一款脊上开槽的超宽带高增益双脊喇叭天线。首先,首次引入二次Bezier曲线作为脊的渐变曲线并验证了该曲线的可行性,天线的电压驻波比(VSWR)带宽为2 GHz~18 GHz;然后,通过加入楔形块和采用锥形渐变脊,成... 详细信息
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单烷基磷酸酯钾盐和烷基糖苷对钴互连化学机械抛光的影响
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电镀与涂饰 2024年 第4期43卷 47-55页
作者: 田雨暄 王胜利 罗翀 王辰伟 孙纪元 张国林 河北工业大学电子信息工程学院 天津300130 天津市电子材料器件重点实验室 天津300130
[目的]目前钴(Co)互连化学机械抛光(CMP)使用的传统唑类抑制剂(如苯并三氮唑)一般有毒性,会对环境造成危害。[方法]在以甘氨酸为配位剂、过氧化氢为氧化剂和SiO_(2)(平均粒径60 nm)为磨料的情况下,添加阴离子型表面活性剂单烷基磷酸酯钾... 详细信息
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表面活性剂在集成电路多层布线CMP工艺中的应用研究
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润滑与密封 2024年 第1期49卷 155-162页
作者: 占妮 牛新环 闫晗 罗付 屈明慧 刘江皓 邹毅达 周建伟 河北工业大学电子信息工程学院 天津300130 天津市电子材料器件重点实验室 天津300130
随着集成电路(IC)特征尺寸不断缩小,集成电路多层布线加工精度面临更高的要求,而化学机械抛光(CMP)凭借化学腐蚀和机械磨削的耦合协同作用,成为实现晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中关键要素之一,其主要成分表... 详细信息
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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响
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半导体技术 2024年 第2期49卷 131-137页
作者: 李相辉 张祥龙 孟妮 聂申奥 邱宇轩 何彦刚 河北工业大学电子信息工程学院 天津300130 天津市电子材料器件重点实验室 天津300130
在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 详细信息
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