基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究(英文)
Study on a New Magneto-Transistor Formed on a SOI Substrate作者机构：黑龙江大学集成电路重点实验室哈尔滨150080
出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)
年 卷 期：2006年第29卷第3期
页 面：609-612页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：ThisworkwassupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(6007627)
摘 要：设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Ic/Ic0≈20%,并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造。
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