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  • 9 篇 期刊文献

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  • 9 篇 电子文献
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  • 9 篇 工学
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主题

  • 9 篇 磁敏晶体管
  • 2 篇 cmos工艺
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  • 1 篇 磁敏场效应管
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  • 1 篇 双注入
  • 1 篇 测试
  • 1 篇 lmt
  • 1 篇 霍尔效应传感器
  • 1 篇 低速盘车

机构

  • 1 篇 南京中旭微电子有...
  • 1 篇 湖南省建筑科学研...
  • 1 篇 光纤技术研究所
  • 1 篇 上海交大微电子研...
  • 1 篇 黑龙江大学
  • 1 篇 哈尔滨工业大学
  • 1 篇 吉林省轻工设计研...

作者

  • 1 篇 邵传芬
  • 1 篇 程志奇
  • 1 篇 周迪文
  • 1 篇 多宝庆
  • 1 篇 涂有瑞
  • 1 篇 于新
  • 1 篇 温殿忠
  • 1 篇 陈丽艳
  • 1 篇 沈启舜
  • 1 篇 周正利
  • 1 篇 李树林
  • 1 篇 赵熙萍

语言

  • 9 篇 中文
检索条件"主题词=磁敏晶体管"
9 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
磁敏晶体管漂移特性测试装置
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电测与仪表 1995年 第5期32卷 23-24页
作者: 赵熙萍 陈丽艳 多宝庆 李树林 哈尔滨工业大学 黑龙江省安装工程公司
三极由于具有比霍尔器件更高的灵度故在电测量中有很大的应用前景,但其漂移较大限制了它的应用。本文针对国产4CCM系列磁敏晶体管漂移问题,研制了测试及筛选其漂移特性的试验装置。本装置由控温系统和测试二大部分组成... 详细信息
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基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究(英文)
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电子器件 2006年 第3期29卷 609-612页
作者: 温殿忠 黑龙江大学集成电路重点实验室 哈尔滨150080
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的度。该磁敏晶体管可应用于场的测量,实验结果表明在场B=0.1T时,这种新型结构给出高的... 详细信息
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传感器及其应用技术”讲座 第七讲 磁敏晶体管传感器(一)
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自动化仪表 1989年 第2期10卷 39-42,45页
作者: 程志奇 吉林省轻工设计研究院
磁敏晶体管分为二极三极两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施场的改变有显著的变化。二极出现于60年代末期,三极出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵度高(比霍尔器件约高... 详细信息
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用p埋层CMOS工艺制造横向磁敏晶体管
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微电子学 1992年 第4期22卷 66-69页
作者: 邵传芬 上海交大微电子研究所 上海200030
本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基... 详细信息
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磁敏晶体管射极跟随电路介绍
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家电检修技术 2009年 第9期 46-46页
作者: 于新
由于磁敏晶体管的β值小于1,而且输出阻抗比较高,所以在实际应用时,首先考虑的问题就是采用什么样的电路,以便使磁敏晶体管产生的信号得以放大。
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新型无触点开关传感器─—硅磁敏晶体管
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大众用电 1995年 第S2期12卷 50-50页
作者: 周迪文 湖南省建筑科学研究所
新型无触点开关传感器─—硅磁敏晶体管湖南省建筑科学研究所周迪文目前,国内外对无触点开关、探场的需要,我国自制半导体3CCM型磁敏晶体管,用作各种传感器(含遥讯遥测遥控),如工厂、矿山运送滚轮检测的传感器,汽轮机低速... 详细信息
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抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究
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上海交通大学学报 1996年 第7期30卷 24-27页
作者: 周正利 沈启舜 光纤技术研究所 应用物理系
介绍了一种新型的用CMOS标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管.理论分析及实验测量结果表明。
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晶体管、MOS器件
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电子科技文摘 1999年 第12期 34-35页
介绍了抽取 FET 非本征电容的新方法,它只需要在有源偏压区域测量。此方法利用了非本征 FET 在正、反向偏压工作区域的对称性。该抽取只需分析即可实现,无需任何最优化。
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半导体场传感器过去和未来
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传感器世界 2003年 第7期9卷 1-10页
作者: 涂有瑞 南京中旭微电子有限公司
经过半个多世纪的发展,半导体场传感器在科研、开发、生产和应用的各个方面都得到了巨大的发展。每年,全世界有数以十亿计的半导体场传感器投入使用,在人类社会生活的各个方面发挥着越来越来重要的作用。我们希望透过发展过程中出... 详细信息
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