极紫外光刻胶的研究进展与展望

作     者：赵慧芳 周作虎 张磊 

作者机构：南开大学现代光学研究所 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2024年第18期

页      面：29-46页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(22271284) 中央高校基本科研业务费专项资金(075-63233091) 

主　　题：光刻 极紫外光刻胶 化学放大光刻胶 分子玻璃光刻胶 金属氧簇光刻胶 

摘      要：光刻胶是微电子领域微细图形加工的关键材料，具有技术含量高、生产工艺复杂、研发周期长等特点，已被广泛应用于平面显示、印刷电路板、集成电路、微机电系统等领域。特别是在集成电路产业，光刻胶材料的不断发展为摩尔定律的持续有效性提供了重要保障，而芯片制程工艺节点的持续推进又对光刻胶材料的分辨率提出了更高要求。作为目前最先进的芯片制造技术，极紫外（EUV）光刻的重要性日益凸显，与之配套的极紫外光刻胶也正受到越来越多的关注。为了更好地推动这一集成电路用关键材料的发展，对近年来国内外极紫外光刻胶的最新研究进展进行了总结与讨论。首先介绍了极紫外光刻胶的研究背景及其面临的挑战，接着从非金属基和金属基极紫外光刻材料两个方面进行了分类介绍，重点总结了化学放大、非化学放大、分子玻璃、氢倍半硅氧烷、金属有机小分子、金属氧化物等典型EUV光刻胶在近几年的研究进展，最后对当前广受学术界和产业界关注的金属氧簇型EUV光刻胶技术路线进行了全面总结与展望。