检索结果-南通市图书馆

作者：石曼大连理工大学

学位级别：硕士

目前,极紫外光刻是推动芯片制造工艺小型化的关键技术,而光刻胶材料的开发与研究是极紫外光刻重要组成部分。分子玻璃以尺寸小、单分散、无分子链缠绕等优势成为实现22 nm节点以下新型的光刻胶材料,引起人们的广泛关注。但是,目前已报... 详细信息

目前,极紫外光刻是推动芯片制造工艺小型化的关键技术,而光刻胶材料的开发与研究是极紫外光刻重要组成部分。分子玻璃以尺寸小、单分散、无分子链缠绕等优势成为实现22 nm节点以下新型的光刻胶材料,引起人们的广泛关注。但是,目前已报道的大多数分子玻璃光刻胶的玻璃化温度较低,这会给其光刻性能带来分辨率降低、线边缘粗糙度增加等负面的影响。蝶烯由于具有独特的三维刚性结构,可有效的提高材料的玻璃化温度。因此,本文设计合成了一系列以蝶烯为骨架的分子玻璃,并进行了结构表征,初步研究了这些分子玻璃的性能。(1)以1,4-二羟基蒽醌和1,8-二羟基蒽醌为原料,先合成多酚类分子玻璃TPC-OH-2、TPC-OH-3,然后分别与二碳酸二叔丁酯反应,最终合成以三蝶烯为骨架的正性分子玻璃TPC-BOC-2、TPC-BOC-3。通过红外、核磁、质谱、TGA、DSC、XRD、成膜性、溶解性和紫外吸收测试,表明TPC-BOC-2和TPC-BOC-3在220 nm处有最大紫外吸收峰,在248 nm处吸光度很低,具有良好的热稳定性和较高玻璃化温度(T>160℃、T>125℃),结晶度低、成膜性好,并且两者及它们的酸催化降解产物(TPC-OH-2、TPC-OH-3)在2.38%TMAH中有明显的溶解性变化。这种独特的分子结构和高T有利于形成均匀致密非晶态薄膜,满足光刻工艺的要求。(2)以1,4-二羟基蒽醌为原料,先合成多酚类分子玻璃HTPC-OH,再引入酸催化降解性基团-BOC、-CH-BOC,合成以五蝶烯为骨架的正性分子玻璃HTPC-BOC、HTPC-CH-BOC。通过测试,表明HTPC-BOC、HTPC-CH-BOC在248 nm处吸光度较低,具有良好的热稳定性(T>175℃)和成膜性,且均不溶于2.38%TMAH碱性显影液中。但是,两者的T较低(T光刻上实际应用。综上所述,本文设计合成了四个正性分子玻璃,其中TPC-BOC-2、TPC-BOC-3的光谱性质、热学性质、成膜性等基本性质,满足分子玻璃光刻胶的性能要求,适合进行后续光刻性能的研究。

关键词：极紫外光刻分子玻璃光刻胶三蝶烯五蝶烯

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基于BPA-10分子玻璃EUV光刻胶

基于BPA-10分子玻璃EUV光刻胶

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中国化学会第十六届全国光化学学术讨论会（2019）

作者：王亚飞郭旭东王双青杨国强中国科学院化学研究所光化学重点实验室

光刻是制造微纳米元件的重要工艺过程,光刻胶是光刻中最重要的材料之一。与传统的聚合物光刻胶相比,分子玻璃光刻胶因其较高的线边缘粗糙度、更容易进行质量控制等特性,受到了广泛关注。本工作设计并制备了一种含有双酚A骨架的新型分子... 详细信息

光刻是制造微纳米元件的重要工艺过程,光刻胶是光刻中最重要的材料之一。与传统的聚合物光刻胶相比,分子玻璃光刻胶因其较高的线边缘粗糙度、更容易进行质量控制等特性,受到了广泛关注。本工作设计并制备了一种含有双酚A骨架的新型分子玻璃化合物BPA-10。该材料具有不对称的刚性核,呈现出高玻璃化转变温度和优异的热稳定性。将BPA-10与光致产酸剂等其它组分溶于丙二醇甲醚醋酸酯中,获得化学放大正性光刻胶。利用EUV曝光,获得的光刻图案特征尺寸最小可至33.7 nm,同时具有较低的线边缘粗糙度,优异的灵敏度和良好的高宽比图案。

关键词：光刻极紫外光刻分子玻璃光刻胶

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极紫外光刻胶的研究进展与展望

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中国激光 2024年第18期 29-46页

作者：赵慧芳周作虎张磊南开大学现代光学研究所

光刻胶是微电子领域微细图形加工的关键材料，具有技术含量高、生产工艺复杂、研发周期长等特点，已被广泛应用于平面显示、印刷电路板、集成电路、微机电系统等领域。特别是在集成电路产业，光刻胶材料的不断发展为摩尔定律的持续有效... 详细信息

光刻胶是微电子领域微细图形加工的关键材料，具有技术含量高、生产工艺复杂、研发周期长等特点，已被广泛应用于平面显示、印刷电路板、集成电路、微机电系统等领域。特别是在集成电路产业，光刻胶材料的不断发展为摩尔定律的持续有效性提供了重要保障，而芯片制程工艺节点的持续推进又对光刻胶材料的分辨率提出了更高要求。作为目前最先进的芯片制造技术，极紫外（EUV）光刻的重要性日益凸显，与之配套的极紫外光刻胶也正受到越来越多的关注。为了更好地推动这一集成电路用关键材料的发展，对近年来国内外极紫外光刻胶的最新研究进展进行了总结与讨论。首先介绍了极紫外光刻胶的研究背景及其面临的挑战，接着从非金属基和金属基极紫外光刻材料两个方面进行了分类介绍，重点总结了化学放大、非化学放大、分子玻璃、氢倍半硅氧烷、金属有机小分子、金属氧化物等典型EUV光刻胶在近几年的研究进展，最后对当前广受学术界和产业界关注的金属氧簇型EUV光刻胶技术路线进行了全面总结与展望。

关键词：光刻极紫外光刻胶化学放大光刻胶分子玻璃光刻胶金属氧簇光刻胶

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高分辨率极紫外光刻胶的研究进展

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应用化学 2021年第9期38卷 1138-1153页

作者：高佳兴陈龙玉佳婷郭旭东胡睿王双青陈金平李嫕杨国强北京分子科学国家研究中心中国科学院化学研究所光化学重点实验室北京100190 中国科学院理化技术研究所光化学转换与功能材料重点实验室北京100190 中国科学院大学北京100039

自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷... 详细信息

自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷使其使用受到限制。以分子玻璃和无机金属配合物光刻胶为代表的相对分子质量小、结构均一的新型光刻胶材料在国内外得到了广泛发展。本文对现阶段新型极紫外光刻胶材料的发展现状和趋势做了评述。

关键词：极紫外光刻极紫外光刻胶分子玻璃光刻胶无机金属配合物光刻胶光刻

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