退火处理对CIGS薄膜物相及成分的影响
EFFECT OF ANNEALING ON PHASE AND ELEMENT OF CIGS THIN FILM作者机构：蚌埠玻璃工业设计研究院蚌埠233018
出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)
年 卷 期：2014年第35卷第3期
页 面：498-501页
核心收录：
学科分类：0830[工学-环境科学与工程（可授工学、理学、农学学位）] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：采用一步溅射沉积工艺制备CIGS薄膜,并对薄膜进行退火处理。对退火前后的样品进行XRD、EDS、拉曼光谱测试分析。得出退火后的样品结晶度更好晶粒更大,In和Se均有不同程度的流失。最终所测得的Cu/In+Ga、Ga/In+Ga的成分比满足高效太阳电池的要求,拉曼光谱所测得的样品表面有退火中形成的CIS存在。
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