电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

作     者：钟志亲 龚敏 王鸥 余洲 杨治美 徐士杰 陈旭东 凌志聪 冯汉源 Beling C D Zhong Zhiqin;Gong Min;Wang Ou;Yu Zhou;Yang Zhimei;Xu Shijie;Chen Xudong;Ling Chichung;Fung Hanyuan;Beling C D

作者机构：四川大学物理科学与技术学院成都610064 四川大学物理科学与技术学院成都610064 四川大学物理科学与技术学院成都610064 四川大学物理科学与技术学院成都610064 四川大学物理科学与技术学院成都610064 香港大学物理系香港 香港大学物理系香港 香港大学物理系香港 香港大学物理系香港 香港大学物理系香港 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第Z1期

页      面：11-14页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60076010) Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60076010) 

主　　题：6H-SiC 辐照 LTPL 缺陷 

摘      要：对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.