单极型有机静电感应三极管沟道纵向电势分析
The Analysis of Potential Along the Channel of the Unipolar Organic Static Induction Transistor作者机构：哈尔滨理工大学应用科学学院黑龙江哈尔滨150080
出 版 物：《哈尔滨理工大学学报》 (Journal of Harbin University of Science and Technology)
年 卷 期：2005年第10卷第5期
页 面：74-77页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：静电感应三极管 OSIT 有限元法 有机薄膜三极管 有机半导体
摘 要：研究了单极型有机半导体酞菁铜静电感应三极管(OSIT)导电沟道内纵向电势分布． 依据电磁场理论,应用有限元法对其导电沟道内的电势分布进行了数值计算与解析．解析结果证 明,导电沟道内鞍部点附近纵向的一维电势分布满足二次方关系．
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