电子级多晶硅的生产工艺
The Production Technology of Electronic Grade Polycrystalline Silicon作者机构：中国科学院半导体研究所北京100083
出 版 物：《中国工程科学》 (Strategic Study of CAE)
年 卷 期：2000年第2卷第12期
页 面：34-39页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：电子级多晶硅 三氯氢硅法 半导体材料 硅烷法 生产工艺 钟罩式反应器
摘 要：就建设 10 0 0t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比 ;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于 10 0 0t/a级的电子级多晶硅生产。
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