磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

作     者：任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 REN Chunjiang;CHEN Tangsheng;JIAO Gang;ZHONG Shichang;XUE Fangshi;CHEN Chen

作者机构：南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2009年第29卷第3期

页      面：330-333,368页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：场板 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 氮化铝 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管 

摘      要：报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。