大面积金刚石薄膜的均匀性
Uniformity of Diamond Film on Substrate with Large Area作者机构:四川大学材料科学与工程学院四川成都610065
出 版 物:《四川大学学报(工程科学版)》 (Journal of Sichuan University (Engineering Science Edition))
年 卷 期:2007年第39卷第2期
页 面:103-106页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
主 题:金刚石膜 微波等离子体化学气相沉积 电阻率 均匀性
摘 要:金刚石膜具有优异的电学、热学性质,均匀的大面积金刚石膜是其在电子领域工业化应用的前提。利用自行设计微波等离子体化学气相沉积装置在直径51 mm和76 mm硅片上制备金刚石薄膜。用扫描电子显微镜观察所得金刚石膜的表面形貌,用ZC36高阻仪测量金刚石薄膜的电阻率。通过电阻率和形貌的均匀性判断金刚石薄膜的均匀性。结果表明,基片位置的变化引起沉积温度和含碳基团的种类、浓度与原子氢浓度的改变,从而影响了金刚石薄膜的形核和生长过程,最终影响金刚石膜的均匀性。直径51 mm金刚石薄膜表面形貌比直径76 mm的薄膜更均匀,但两种尺寸金刚石膜中间和四周的电阻率数值都接近,达到108Ω.cm,电阻率均匀性好。