紧凑型D波段宽带CMOS低噪声放大器

作     者：刘兵 徐振华 孟凡易 马凯学 LIU Bing;XU Zhenhua;MENG Fanyi;MA Kaixue

作者机构：天津大学微电子学院天津300072 

出 版 物：《空间电子技术》 (Space Electronic Technology)

年 卷 期：2024年第21卷第4期

页      面：92-98页

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0702[理学-物理学] 

基　　金：科技部研发项目(编号:2018YFB2202500) 

主　　题：太赫兹 D波段 宽带 互补金属氧化物半导体 低噪声放大器 

摘      要：基于28-nm CMOS工艺,设计了一款工作于D波段的紧凑型、宽带低噪声放大器。该放大器由四级放大器单元级联而成,每级放大器单元均采用基于中和电容技术的差分共源极结构。输入、输出和级间阻抗匹配电路均由变压器网络实现,并且每个放大器单元的中心工作频率被交错配置在120GHz和155GHz附近以实现参差调谐带宽拓展,从而在宽带内实现了平坦的增益响应。仿真和测试结果表明,在34mW直流功耗下,该放大器在中心频率140GHz处实现了19.5dB的峰值增益和28GHz(128GHz~156GHz)的3dB工作带宽,噪声系数和输入1dB压缩点分别为7.8dB~9.2dB和-19.8dBm~-16.6dBm。芯片的核心面积仅为200μm×550μm。