检索结果-南通市图书馆

d波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2019年第2期38卷 144-148页

作者：刘军吕昕于伟华杨宋源侯彦飞北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款d波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,... 详细信息

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款d波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建d波段接收前端具有借鉴意义.

关键词： InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 d波段

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

结构简单的d波段矢量毫米波信号产生的方法

光学学报 2021年第4期41卷 51-57页

作者：刘翠微余建军复旦大学信息科学与工程学院电磁波信息科学教育部重点实验室上海200433 复旦大学上海先进通信与数据科学研究院上海200433

提出一种新的基于单个强度调制器的d波段矢量毫米波产生方法。研究基于强度调制器,通过预编码技术,产生了八倍频d波段矢量毫米波信号,信号经过一定距离的无线传输之后输入接收端,最后对信号进行解调和误码分析。该方法具有一定的中心载... 详细信息

提出一种新的基于单个强度调制器的d波段矢量毫米波产生方法。研究基于强度调制器,通过预编码技术,产生了八倍频d波段矢量毫米波信号,信号经过一定距离的无线传输之后输入接收端,最后对信号进行解调和误码分析。该方法具有一定的中心载波抑制功能,在无光学滤波器下成功传输了信号,降低了光载无线系统的链路成本。实验验证了152 GHz 4 GBaud正交相移编码(QPSK)信号的产生和传输,经过1 m的无线传输后,接收到的QPSK信号的误码率低于软判决前向纠错门限阈值(1.0×10^(-2))。

关键词：光通信 d波段光载无线八倍频预编码强度调制器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

典型衣物的d波段透射率研究

光学学报 2016年第7期36卷 92-96页

作者：刘杰蒋均成彬彬陆彬经文张健中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心四川绵阳621900 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

基于自由空间法,设计研制了一套d波段透射率测试装置,对典型衣服、鞋底及快递包装进行了测试。该测试装置包括d波段矢量网络分析仪、高斯波束天线、双曲透镜、光学导轨以及固定夹具。采用直通反射-传输线(TRL)校准方法和时域门技术,提... 详细信息

基于自由空间法,设计研制了一套d波段透射率测试装置,对典型衣服、鞋底及快递包装进行了测试。该测试装置包括d波段矢量网络分析仪、高斯波束天线、双曲透镜、光学导轨以及固定夹具。采用直通反射-传输线(TRL)校准方法和时域门技术,提高了测试准确度,保证数据有效性。对10种厚薄不同的衣服进行了d波段透射率测试,测试曲线趋势与已报道文献结果吻合。对鞋底以及快递包装的透射率进行了测试,获得了与安保场景比较接近的数据,有利于安检系统的设计。

关键词：成像系统透射率自由空间法 d波段太赫兹成像

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

漏/阻双模高性能d波段无源混频器

浙江大学学报（工学版） 2016年第9期50卷 1815-1822页

作者：张胜洲孙玲玲文进才刘军浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310018 杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路重点实验室浙江杭州310018

介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能d波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻... 详细信息

介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能d波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频(RF)和本振(LO)信号共用的匹配网络.测试结果表明:在漏极状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为3dBm时,转换增益位于-4.4^-11.6dB;在阻性状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为0dBm时,转换增益位于-8.0^-18.6dB.包含焊盘在内,芯片面积为0.86mm×0.43mm.

关键词：漏/阻双模 d波段共面波导(CPW) 变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 优良指数(FOMs)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

d波段功率放大器设计

强激光与粒子束 2016年第2期28卷 88-91页

作者：刘杰张健蒋均田遥岭邓贤进中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心四川绵阳621900

基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种d波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能... 详细信息

基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种d波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配.对电路结构进行了设计、流片验证和测试.采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块.小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125-150GHz,最高增益在131GHz为21dB,最低增益在150GHz为17dB,通带内S22小于-7dB,S11小于-10dB.大信号测试结果表明：该功放模块在128-146GHz带内输出功率都大于13dBm,在139GHz时,具有最高输出功率为13.6dBm,且1dB压缩功率为12.9dBm.

关键词： d波段功率放大器太赫兹集成电路 SiGeBiCMOS cascode

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

d波段行波管中衰减器的设计

微波学报 2014年第S1期30卷 574-575页

作者：蒋艺雷文强胡林林马国武陈洪斌中国工程物理研究院应用电子学研究所绵阳621900

随着行波管工作频率的提高,特别是到了太赫兹频段以后,行波管技术的发展面临着越来越多的挑战,衰减器便是其中非常重要的核心部件之一。本文从材料的选择、结构的优化两方面出发,利用三维模拟软件CST微波工作室进行模拟计算,研制出适合... 详细信息

随着行波管工作频率的提高,特别是到了太赫兹频段以后,行波管技术的发展面临着越来越多的挑战,衰减器便是其中非常重要的核心部件之一。本文从材料的选择、结构的优化两方面出发,利用三维模拟软件CST微波工作室进行模拟计算,研制出适合d波段行波管使用的氧化铝衰减器。冷测结果显示,其匹配和衰减量满足实际需求,为制作d波段行波管放大器奠定了基础。

关键词： d波段行波管衰减器氧化铝冷测

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

d波段倍频源的研究

D波段倍频源的研究

作者：石秀琨电子科技大学

学位级别：硕士

为了制作新的更高技术性能的无线电电子设备,重要而迫切的任务是将工作频段向高端扩展。由于在毫米波频段,直接振荡产生的高性能的本振源成本很高、技术难度也比较大,因此采用倍频技术是常用的解决途径。本文对倍频器的工作原理作了简... 详细信息

为了制作新的更高技术性能的无线电电子设备,重要而迫切的任务是将工作频段向高端扩展。由于在毫米波频段,直接振荡产生的高性能的本振源成本很高、技术难度也比较大,因此采用倍频技术是常用的解决途径。本文对倍频器的工作原理作了简单介绍,对各种二极管倍频器进行了分析比较。重点介绍了采用反向并联二极管对(Anti-Parallel-diode-Pair)方案的倍频器工作原理,同时对其进行了详细的理论分析和仿真设计。本论文提出的d波段倍频源的设计方案采用悬置共面波导(Suspended Coplanar Waveguides)传输线,利用反向并联二极管对(Anti-Parallel-diode-Pair)来实现三倍频。整个电路采用微带混合集成电路设计,在设计过程中,本文采用了谐波平衡仿真软件(Agilent AdS)与三维场仿真软件(Ansoft HFSS)结合的方式,对二极管模型建立、微带-共面波导过渡、d波段波导微带线过渡.微带低通滤波器以及匹配电路等进行了仿真优化,并将整个倍频电路进行整体仿真。本文研制出d波段倍频源并进行了测试,实现在输出频率120GHz～148GHz范围内,输出功率为-4.0dBm～3.9dBm之间。最后对实验结果进行分析,提出进一步改进措施。

关键词： d波段毫米波三倍频反向并联二极管对悬置共面波导

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

d波段收发前端关键部件设计研究

D波段收发前端关键部件设计研究

作者：叶子周东南大学

学位级别：硕士

近年来,太赫兹收发前端凭借其固有的高可用带宽,为高数据速率的无线通信提供了可行的解决方案。本文针对d波段收发链路中的关键部件,包括I/Q上变频器、下变频器、四倍频器、功率放大器以及可变增益放大器,开展相关的原理电路工作特性分... 详细信息

近年来,太赫兹收发前端凭借其固有的高可用带宽,为高数据速率的无线通信提供了可行的解决方案。本文针对d波段收发链路中的关键部件,包括I/Q上变频器、下变频器、四倍频器、功率放大器以及可变增益放大器,开展相关的原理电路工作特性分析,并在此基础上进行核心芯片的设计、改进和创新。具体如下:1.基于70nm GaAs mHEMT工艺设计了一款d波段I/Q上变频器。首先对电路中的无源耦合部件进行设计和优化,包括基于共面波导的威尔金森功分器和兰格耦合器;有源部分采用阻性混频方式,偏压由栅极提供。经电路电磁协同设计,芯片版图仿真表明,该I/Q上变频器的射频带宽为125-155GHz,中频带宽为1-14GHz,变频增益大于-8d B,输入P为1d Bm,端口隔离度均优于18d B,回波损耗大于20d B。2.基于70nm GaAs mHEMT工艺设计了一款d波段I/Q下变频器。该下变频器同样采用接地共面波导技术,选用栅极混频方式。完成栅极混频工作原理的深入分析,着重于输入匹配电路的优化设计,并对共面波导不连续处的结构进行了改进。经电路电磁协同设计,芯片版图仿真表明,该下变频器的射频带宽为130-150GHz,中频带宽为1-12GHz。在此频带内,I路和Q路变频增益的幅度不平衡度小于2d B,相位不平衡度优于2°。在射频信号功率为0d Bm之前,中频输出无明显的增益压缩现象。3.基于70nm GaAs mHEMT工艺设计了一款d波段有源四倍频器。该四倍频器采用平衡式二倍频器和缓冲放大器的级联结构,将匹配电路与滤波电路进行组合优化,对不同次数的谐波均有较好的抑制效果。此外,本设计对共面波导向微带线过渡的结构进行了改进。芯片版图仿真表明,该四倍频器的最大输出功率可达9.5d Bm,射频带宽为130-145GHz,谐波抑制度优于36d Bc。该四倍频器具有高输出功率、谐波抑制良好的特点,可以作为上述I/Q混频器的本振信号源。4.基于250nm GaAs pHEMT工艺设计了一款X波段可变增益放大器。该可变增益放大器采用低噪声放大器和可变增益放大器级联的形式,通过改变跨导来实现增益变化。芯片版图仿真表明,控制电压为3-6V时,该可变增益放大器可以实现46d B的增益变化范围,最大增益达到21.8d B,输出1d B压缩点为19d Bm,相位一致性良好。5.基于130nm SiGe BiCMOS工艺设计了一款d波段功率放大器。该功放由共射共基结构和共基结构级联组成。针对共射共基结构高频时的损耗以及共基结构效率过低的问题开展了电路工作原理分析,并在此基础上提出了匹配电路的改进和偏置电路的优选方案。最终结果显示,该功放的最高增益为13.8d B@140GHz,饱和输出功率为16.7d Bm,峰值PAE达到19.5%,1d B压缩点处的PAE约为14.6%。其3d B带宽为35GHz,在此频段内无条件稳定,且输出匹配优于-10d B。

关键词： d波段太赫兹芯片 I/Q混频器有源四倍频器可变增益放大器功率放大器

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

d波段辐射计前端研究

D波段辐射计前端研究

作者：胡与朋电子科技大学

学位级别：硕士

辐射计基于不同待测物体具有不同亮度温度的特性实现对物体的分辨,在小信号功率检测场景中应用广泛。随着频谱资源的利用以及辐射计研制日益成熟,人们开始探索辐射计在太赫兹频段的应用。d波段(110-170GHz)位于太赫兹频段的低端,国外在... 详细信息

辐射计基于不同待测物体具有不同亮度温度的特性实现对物体的分辨,在小信号功率检测场景中应用广泛。随着频谱资源的利用以及辐射计研制日益成熟,人们开始探索辐射计在太赫兹频段的应用。d波段(110-170GHz)位于太赫兹频段的低端,国外在此频段的辐射计研究已达到芯片级,而国内对d波段辐射计的研究较少,因此本文在丰富d波段辐射计研究成果、提高相关性能方面具有积极意义。本文研究的d波段辐射计采用低噪声放大器、检波器以及运算放大电路组成,并将重点放在检波器的研制上。在检波二极管SPICE参数不足的情况下,基于二极管理论知识,根据二极管各层物理结构、材料特性以及大致尺寸在HFSS中建立了三维电磁模型以模拟二极管的封装带来的寄生效应,在肖特基结处采用集总参数表征其阻抗特性。然后对检波器电路进行设计及加工测试,通过对比检波器反射系数仿真结果和测试结果,逐步拟合肖特基结处的集总参数。在拟合较为接近实际值的基础上,优化设计了d波段的检波器;同时为了验证所选二极管在W波段的性能,设计了一款W波段检波器。测试结果表明,W波段检波器在75GHz-110GHz频率范围内电压灵敏度大于1200m V/m W,峰值灵敏度超过7100m V/m W,整体的切线灵敏度约为-60d Bm@1.2k Hz。d波段检波器在110GHz-155GHz范围内电压灵敏度大于1000m V/m W,最高到达了5500m V/m W,在160GHz-170GHz范围内电压灵敏度均值为1000m V/m W;在110GHz处测得切线灵敏度约为-55d Bm@1.2k Hz。利用d波段检波器及其它分立器件搭建的辐射计在16.4ms的积分时间内,温度灵敏度约为0.55K。

关键词：辐射计 d波段检波器肖特基二极管