双向S型负阻器件的二维计算机数值模拟
Two dimensional numerical simulation of bi directional “S” type negative resistance device作者机构：大连理工大学物理系
出 版 物：《大连理工大学学报》 (Journal of Dalian University of Technology)
年 卷 期：1996年第36卷第6期
页 面：660-663页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国然自然科学基金
摘 要：介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件进行二维数值模拟的方法，并用此方法模拟得出器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴浓度分布和电流密度分布．
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