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nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi 晶体管直流特性数值分析

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大连理工大学学报 1998年第5期38卷 516-520页

作者：安俊明李建军魏希文沈光地大连理工大学物理系北京工业大学电子工程系

采用一维有限差分方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析，给出了高斯掺杂情形下，基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、... 详细信息

采用一维有限差分方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析，给出了高斯掺杂情形下，基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图；与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比，结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能；其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟，证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．

关键词：异质结计算晶体管直流特性数值分析

基于生成对抗网络的图像多属性联合编辑的研究

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基于生成对抗网络的图像多属性联合编辑的研究

作者：魏希文华南理工大学

学位级别：硕士

基于生成对抗网络的图像编辑领域的研究已经取得很大进展。然而,目前的方法通常对图像单属性编辑进行研究,如果要进行图像多属性编辑任务,它们需要将多属性编辑任务分解为多个单属性编辑操作并逐个进行。然而,单属性编辑操作通常伴随着... 详细信息

基于生成对抗网络的图像编辑领域的研究已经取得很大进展。然而,目前的方法通常对图像单属性编辑进行研究,如果要进行图像多属性编辑任务,它们需要将多属性编辑任务分解为多个单属性编辑操作并逐个进行。然而,单属性编辑操作通常伴随着图像除目标属性以外无关属性的偏离,多个单属性编辑操作逐个进行会使得这些偏离累积,导致图像不期望的变化。而通过一个编辑操作同时编辑多个属性的方式可以一定程度上解决上述问题。为此本文提出了内容感知的潜在语义融合模型(Content-aware Style GAN Latent Semantic Fusion,Style LSF)。该模型包含两个子网络:一个预测子网络推断多个对应单属性的语义向量,一个融合子网络将预测子网络产生的多个语义向量非线性融合,产生一个语义向量同时编辑多个属性。并且该模型使用基于属性感知的特征进行一致性正则化,进一步确保输入图像的无关属性保持不变。此外,目前基于生成对抗网络的图像编辑方法通常需要大量标记数据和预训练的属性分类器进行指导。为此,本文提出了文本引导的无监督潜在语义转换模型(Text-guided Unsupervisied Latent Transformation,TUSLT),该模型联合学习一个潜在语义映射网络来推断可同时编辑多个属性的语义向量和一个辅助属性分类器来评估操作质量。为了达到无监督的目的,模型引入跨模态语言-图像预训练模型CLIP,通过测量属性文本描述和训练图像之间的语义相似性生成伪标记数据来联合训练属性分类器,联合训练的属性分类器提取图像特定领域的信息,可以准确地描述属性之间的差异并提供精确的语义指导。并且,通过在多个数据集上进行实验,本文证明所提模型在图像多属性编辑任务上的有效性和优越性。

关键词：图像编辑属性操控语义融合

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多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

大连理工大学学报 1995年第3期35卷 303-308页

作者：李建军魏希文王美田李正孝王效平大连理工大学物理系沈阳电子工业部47所

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层，通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，... 详细信息

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层，通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。

关键词：晶体管理论模型多晶硅发射极锗硅合金基区

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亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制

大连理工大学学报 1992年第6期32卷 644-652页

作者：邹赫麟魏希文马平西大连工学院物理系

就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达式；指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中，复合晶体管的发射结面积是一个关键因素，并... 详细信息

就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达式；指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中，复合晶体管的发射结面积是一个关键因素，并依此进行了样品电路的优化设计和工艺制造。测试结果表明，单门平均延迟时间为０．２２ｎｓ，功耗延迟积为０．５５ｐＪ．在输入一致条件下（０～４Ｖ），各单门电路之间输出不均匀性误差小于等于４ｍＶ．

关键词：逻辑电路高速度均匀性 DYL

多元逻辑电路(DYL)线性“与或”门均匀性的研究

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大连理工大学学报 1992年第4期32卷 483-488页

作者：马平西魏希文邹赫麟大连理工大学物理系

Comparing the theoretical ana1ysis with the experimental results the authors have proved that the uniformity of linear "and/or" gates mainly depends on imput voltage and load resistance. When imput voltage is low, the uniformity changes a little with the load resistance. When imput voltage is high, the smaller the load resistance is, the more obviously the uniformity changes with imput voltage.

关键词：逻辑电路均匀性误差理论

基于气候和土壤要素的中国耕地适宜性指数构建

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北京师范大学学报（自然科学版） 2016年第1期52卷 63-69,2页

作者：魏希文崔雪锋北京师范大学资源学院北京100875 北京师范大学系统科学学院北京100875

中国历史土地利用的重建工作主要分为数据重建和空间重建,而建立具有空间指示作用的参数对于历史土地利用的空间重建具有举足轻重的指示意义.本文基于此想法,参考前人经验,构建了一套耕地适宜性指数,作为历史土地利用空间重建的基础.首... 详细信息

中国历史土地利用的重建工作主要分为数据重建和空间重建,而建立具有空间指示作用的参数对于历史土地利用的空间重建具有举足轻重的指示意义.本文基于此想法,参考前人经验,构建了一套耕地适宜性指数,作为历史土地利用空间重建的基础.首先通过分析影响耕地时空分布的多种自然要素和人文因素,从中厘定土壤和气候这2个关键要素,然后基于此构建了一套计算耕地适宜性指数的方法.通过获取的气候适宜性与土壤适宜性的空间分布图与实际土地利用的相关性分析验证了这2个要素的一定代表性.本文最终的结果代表自然状态下耕地分布的最初可能性,具体特征有:1)对耕地分布起影响的气候适宜性分为4个等级的块状分布;2)对耕地分布有影响的土壤适宜性比较零散,但是大体还是以秦岭-淮河一线为分界线,呈现北高南低的分布;3)对于不同地区耕地分布,影响的主导因素有区别,西北为土壤要素,东南为气候要素;4)耕地适宜性最高的地区基本集中在华北平原、长江中下游平原区域,而青藏高原地区的适宜性最低.结合人口、经济等因素,这样一套耕地适宜性分布图对历史土地利用空间分布有重要的空间指示作用.

关键词：中国历史耕地重建气候土壤适宜性指数

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纳米硅薄膜低温光致发光

固体电子学研究与进展 1998年第1期18卷 38-42页

作者：窦红飞李建军魏希文邹赫麟何宇亮刘明大连理工大学半导体研究室116023 北京航空航天大学非晶态物理研究室 100083

以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理... 详细信息

以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。

关键词：纳米硅薄膜光致发光化学气相渡积等离子体

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多晶硅薄膜光电导特性的研究

大连理工大学学报 1995年第1期35卷 25-30页

作者：魏希文王美田武建青大连理工大学物理系机电部十三所

通过进一步研究多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶；在短波区出现峰值．由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间，其值的大小... 详细信息

通过进一步研究多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶；在短波区出现峰值．由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间，其值的大小与多晶硅晶粒大小有关，实验还观测到与势垒光生伏特效应不同的另一种光生伏特效应，可能和材料及工艺不均匀性有关．

关键词：光电导性光谱能分布禁带宽度多晶硅薄膜

双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析

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Journal of Semiconductors 1997年第4期18卷 302-307页

作者：张富斌李建军魏希文大连理工大学物理系大连116023

本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还... 详细信息

本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．

关键词：负阻器件双向S型二维数值模拟