Ultra-low-voltage-trigger thyristor for on-chip ESD protection without extra process cost

作     者：单毅 何军 黄文毅 

作者机构：Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Grace Semiconductor Manufacturing Corporation 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2009年第30卷第7期

页      面：80-82页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 081201[工学-计算机系统结构] 0702[理学-物理学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

主　　题：thyristor electro-static discharge ultra-low-voltage-trigger positive negative 

摘      要：A new thyristor is proposed and realized in the foundry＇s 0.18-μm CMOS process for electrostatic dis-charge（ESD） *** extra mask layers or process steps, the new ultra-low-voltage-trigger thyristor（ULVT thyristor） has a trigger voltage as low as 6.7 V and an ESD robustness exceeding 50 mA/μm, which enables effective ESD *** with the traditional medium-voltage-trigger thyristor（MVT thyristor）, the new structure not only has a lower trigger voltage, but can also provide better ESD protection under both positive and negative ESD zapping conditions.