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ultra-low-voltage-trigger thyristor for on-chip ESD protection without extra process cost

Journal of Semiconductors 2009年第7期30卷 80-82页

作者：单毅何军黄文毅 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

A new thyristor is proposed and realized in the foundry＇s 0.18-μm CMOS process for electrostatic dis-charge（ESD） *** extra mask layers or process steps, the new ultra-low-voltage-trigger thyristor（ULVT thyristor） has a trigger voltage as low as 6.7 V and an ESD robustness exceeding 50 mA/μm, which enables effective ESD *** with the traditional medium-voltage-trigger thyristor（MVT thyristor）, the new structure not only has a lower trigger voltage, but can also provide better ESD protection under both positive and negative ESD zapping conditions.

关键词： thyristor electro-static discharge ultra-low-voltage-trigger positive negative

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