用原位腔内清洗提高Al刻蚀的MTBC
作者机构：Applied Materials China Applied Materials USA
出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)
年 卷 期：2013年第19卷第5期
页 面：252-254页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：Al MTBC 清洗工艺 均匀性 聚合物薄膜 产额 碳基 半导体器件 淀积 逻辑器件
摘 要：优化原位腔清洗工艺可延长清洗之间Al刻蚀腔加工时间(MTBC),不损伤清洗腔内部,同时也保持了合理的产额。Cl/O2能非常有效地去除碳基聚合物,而BCl3/Cl最有利于去除Al副产品。通过提高压力得到了顶盖/侧壁清洗均匀性方面最好的改进。实行最佳清洗工艺后,MTBC提高了4倍。
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