DS轧制弱化溅射芯片用超高纯钽厚度方向织构梯度(英文)

作     者：于凯 徐龙飞 王丽 李桂鹏 Xiao-dan ZHANG 王玉辉 

作者机构：燕山大学国家冷轧板带装备及工艺工程技术研究中心 重庆工业职业技术学院 同创(丽水)特种材料有限公司 Department of Civil and Mechanical Engineering Technical University of Denmark 

出 版 物：《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 (中国有色金属学报(英文版))

年 卷 期：2024年

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

基　　金：funded by National Key Research and Development Program (2022YFB3705504) Key Research and Development Program of Hebei Province (21310301D) Central Guide Local Science and Technology Development Fund Funded Projects (226Z1003G) Province Natural Science Foundation Innovation Group Funding Project of Hebei (E2021203011) 

主　　题：钽 织构梯度 轧制 储存能 切应力 

摘      要：传统的同步轧制工艺往往会产生贯穿板材厚度方向的微观组织和织构梯度。本研究以超高纯度(99.999 wt.%)钽为原材料，采用可动态偏移和调整剪切力的轧制（DS轧制）工艺解决溅射芯片用超高纯钽板织构梯度问题，利用Deform 3D软件分析了超高纯钽板在DS轧制和同步轧制过程中的应变和应力分布，并且利用电子背散射衍射（EBSD）表征了材料的厚度方向织构和微观结构。结果表明，DS轧制将平均切应变从0.05提高到0.56，有效地解决了溅射芯片用超高纯钽板织构梯度问题，并且切应力显著降低了{100}和{111}晶粒的储能取向依赖性。此外，DS轧制可有效细化超高纯钽板再结晶晶粒，平均晶粒尺寸减小30.9%。