3DNAND存储芯片高深宽比刻蚀工艺对惰性气体需求研究
作者机构：中国电子工程设计院有限公司北京100142
出 版 物：《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》
年 卷 期：2024年第2期
页 面：185-189页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：3D NAND 存储芯片 高深宽比刻蚀 堆叠层数 惰性气体
摘 要：随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占领了存储市场。本文以3D NAND代表技术之一X-tacking技术为研究对象,基于通用工艺流程方法对3D NAND器件的工艺制程、高深宽比刻蚀工艺的原理及特点进行分析,并对高深宽比刻蚀工艺中不同堆叠层数与大质量惰性气体氙气(Xe)需求量之间的关系进行了研究,为集成电路产线设计和工程建设提供参考依据。
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