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中文科技期刊数据库（全文版）工程技术 2024年第2期 0185-0189页

作者：张丹扬程星华白帆宋恺中国电子工程设计院有限公司北京100142

随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占... 详细信息

随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占领了存储市场。本文以3D NAND代表技术之一X-tacking技术为研究对象,基于通用工艺流程方法对3D NAND器件的工艺制程、高深宽比刻蚀工艺的原理及特点进行分析,并对高深宽比刻蚀工艺中不同堆叠层数与大质量惰性气体氙气(Xe)需求量之间的关系进行了研究,为集成电路产线设计和工程建设提供参考依据。

关键词： 3D NAND 存储芯片高深宽比刻蚀堆叠层数惰性气体

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硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

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电子学报 2002年第11期30卷 1577-1584页

作者：王阳元武国英郝一龙张大成肖志雄李婷张国炳张锦文北京大学微电子研究院北京100871

本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了... 详细信息

本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;

关键词：硅基 MEMS标准工艺高深宽比刻蚀键合多晶硅应力防粘附微机电系统半导体

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ICP深硅刻蚀工艺研究

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真空科学与技术学报 2013年第8期33卷 832-835页

作者：许高斌皇华展明浩黄晓莉王文靖胡潇陈兴合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心合肥230009 中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司蚌埠233042

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的... 详细信息

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。

关键词：感应耦合等离子体刻蚀深硅刻蚀侧壁光滑陡直刻蚀高深宽比刻蚀工艺参数

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1x nm DRAM电容孔刻蚀工艺研究

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微纳电子与智能制造 2021年第4期3卷 92-102页

作者：侯剑秋于新新孙玉乐周娅李振兴鲍锡飞张泳富胡增文中微公司上海201201 长鑫存储公司合肥230093

电容(储存单元)是DRAM(动态随机存取存储器)非常关键的结构。由于高深宽比电容孔刻蚀的限制,随着器件尺寸越来越小,同时实现足够的电容值、最小化存储单元之间的漏电和最大化存储阵列密度变得越来越具有挑战性。为了构建小尺寸和笔直剖... 详细信息

电容(储存单元)是DRAM(动态随机存取存储器)非常关键的结构。由于高深宽比电容孔刻蚀的限制,随着器件尺寸越来越小,同时实现足够的电容值、最小化存储单元之间的漏电和最大化存储阵列密度变得越来越具有挑战性。为了构建小尺寸和笔直剖面的电容孔,我们在此基于在中微CCP干法刻蚀机上的实验结果提供了一些工艺解决方案,例如激发等离子体的射频功率、刻蚀化学气体和逐步刻蚀调整等。这些解决方案主要针对工艺挑战包括工艺剖面不弯曲、大的底部尺寸和良好的底部圆度等。而且,我们根据经验和相关知识提出了相应的机理,涉及但不限于电容耦合式等离子体刻蚀过程中的聚合物沉积、离子轰击和化学反应等。

关键词：动态随机存取存储器器件电容结构电容耦合式等离子体刻蚀高深宽比刻蚀介质刻蚀

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