检索结果-南通市图书馆

中国电子报

作者：姬晓婷吴修齐

近日，有消息称三星电子已向包括戴尔科技、慧与（HPE）在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15%20%，而三星第二季度已将其企业级NAND闪存涨价20%以上。这已经是三星... 详细信息

近日，有消息称三星电子已向包括戴尔科技、慧与（HPE）在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15%20%，而三星第二季度已将其企业级NAND闪存涨价20%以上。这已经是三星今年以来的第三次调价。这次涨价，又是......

关键词：三星电子海力士存储市场存储芯片《中国电子报》

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存储芯片价格延续涨势多家产业链企业受益 A03

存储芯片价格延续涨势多家产业链企业受益

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证券日报

作者：丁蓉

2024年开年，存储芯片延续去年的反弹趋势，迎来新一轮涨价。三星、美光等全球头部存储芯片企业，日前正规划在2024年一季度将DRAM（动态随机存取存储器）芯片价格上涨15%至20%。集邦咨询分析师吴雅婷在接受《证券日报》记者采访时表... 详细信息

2024年开年，存储芯片延续去年的反弹趋势，迎来新一轮涨价。三星、美光等全球头部存储芯片企业，日前正规划在2024年一季度将DRAM（动态随机存取存储器）芯片价格上涨15%至20%。集邦咨询分析师吴雅婷在接受《证券日报》记者采访时表示，根据最新研究结果，预计2024年一季度?

关键词：存储芯片证券分析师价格延续产业链

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存储芯片行业景气度持续攀升多家公司上半年业绩报喜

存储芯片行业景气度持续攀升多家公司上半年业绩报喜

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证券日报

作者：李雯珊

Wind资讯统计数据显示，截至8月15日15时，在A股存储芯片板块的50家上市公司中，已有15家公司发布2024上半年业绩预告或报告，其中，有1家公司实现营收与净利同比增长，9家预计实现营收与净利同比增长。具体来看，聚辰股份2024年上半年... 详细信息

Wind资讯统计数据显示，截至8月15日15时，在A股存储芯片板块的50家上市公司中，已有15家公司发布2024上半年业绩预告或报告，其中，有1家公司实现营收与净利同比增长，9家预计实现营收与净利同比增长。具体来看，聚辰股份2024年上半年实现营业收入5.15亿元，同比增长62.37%......

关键词：存储芯片

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存储芯片涨势汹汹 A股产业链渐迎复苏 006

存储芯片涨势汹汹 A股产业链渐迎复苏

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21世纪经济报道

作者：张赛男

存储芯片整体下行已近两年，2023年四季度以来，价格回暖的预期逐渐升温。近期，复苏的口号也越喊越响。媒体最新报道显示，三星、美光两家存储芯片大厂，日前正规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，从1月起执行。另一家存... 详细信息

存储芯片整体下行已近两年，2023年四季度以来，价格回暖的预期逐渐升温。近期，复苏的口号也越喊越响。媒体最新报道显示，三星、美光两家存储芯片大厂，日前正规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，从1月起执行。另一家存储巨头SK海力士早在去年10月已官宣涨价，?

关键词：存储芯片第四季度毛利率产业链

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存储芯片需求旺盛助力相关上市公司业绩增长 B02

存储芯片需求旺盛助力相关上市公司业绩增长

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证券日报

作者：贾丽

在半导体市场复苏、原材料价格上涨、AI芯片需求旺盛等多重因素持续影响之下，存储芯片市场的价格上涨或将超出预期。5月7日，调研机构TrendForce集邦咨询发布最新报告，上调了两类存储产品价格的涨幅预测。而受存储芯片走出“至暗时... 详细信息

在半导体市场复苏、原材料价格上涨、AI芯片需求旺盛等多重因素持续影响之下，存储芯片市场的价格上涨或将超出预期。5月7日，调研机构TrendForce集邦咨询发布最新报告，上调了两类存储产品价格的涨幅预测。而受存储芯片走出“至暗时刻”步入复苏通道影响，多家行业头部企业?

关键词：存储芯片上市公司业绩

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存储芯片价格持续调涨机构预测11股业绩翻倍

存储芯片价格持续调涨机构预测11股业绩翻倍

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证券时报

作者：郭洁

继二季度涨价后，存储巨头三星电子宣布在三季度将动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存（NAND Flash）等主要存储芯片产品提价15%至20%的计划。目前，三星电子已经向戴尔科技和惠普等主要客户通报涨价计划。存储芯片是半导体市场最主... 详细信息

继二季度涨价后，存储巨头三星电子宣布在三季度将动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存（NAND Flash）等主要存储芯片产品提价15%至20%的计划。目前，三星电子已经向戴尔科技和惠普等主要客户通报涨价计划。存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，从2023年年底开始，半导......

关键词：存储芯片概念股销售毛利率

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3DNAND存储芯片高深宽比刻蚀工艺对惰性气体需求研究

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中文科技期刊数据库（全文版）工程技术 2024年第2期 0185-0189页

作者：张丹扬程星华白帆宋恺中国电子工程设计院有限公司北京100142

随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占... 详细信息

随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占领了存储市场。本文以3D NAND代表技术之一X-tacking技术为研究对象,基于通用工艺流程方法对3D NAND器件的工艺制程、高深宽比刻蚀工艺的原理及特点进行分析,并对高深宽比刻蚀工艺中不同堆叠层数与大质量惰性气体氙气(Xe)需求量之间的关系进行了研究,为集成电路产线设计和工程建设提供参考依据。

关键词： 3D NAND 存储芯片高深宽比刻蚀堆叠层数惰性气体

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