基于扩散模型的ZnO/p-Si异质结伏安特性研究

作     者：熊超 姚若河 耿魁伟 Xiong Chao;Yao Ruo-he;Geng Kui-wei

作者机构：华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 

出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2011年第39卷第2期

页      面：1-6页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60776020) 广东省科技攻关项目(A1100501) 

主　　题：氧化锌 异质结 伏安特性 内建势垒 扩散模型 

摘      要：为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒,对异质结的正向电流起阻碍作用;当外加正向电压等于内建势垒高度时,伏安特性曲线出现转折点;当外加正向电压超过转折点电压时,电流密度随电压升高而增大的速度减缓;反向饱和电流密度随p-Si受主掺杂浓度的增加和工作温度的降低而减小,但与ZnO的掺杂浓度和导带补偿无关;p-Si和ZnO的掺杂浓度减小、工作温度升高以及导带补偿增大均会引起转折点位置对应的外加正向电压减小.