双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

作     者：葛兆云 林理彬 

作者机构：四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2004年第16卷第4期

页      面：457-460页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0827[工学-核科学与技术] 082701[工学-核能科学与工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金委 中国工程物理研究院联合基金资助课题(10076008) 

主　　题：质子 GaAs 探测器 光电流 暗电流 

摘      要： 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。