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带电粒子辐射对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 404-407页

作者：邹睿林理彬四川大学物理系成都610064

利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对 Ga As/Al Ga As多量子阱光学性质的影响。用能量为 1 Me V、注量为 1 0 1 3～ 1 0 1 6 /cm2 的电子辐照 ,模拟太空环境下范艾仑带对多量子阱的辐射。辐射后在 45 0℃真空环境下退火 5分钟 ,测量了辐... 详细信息

利用光荧光谱研究了带电粒子辐照对 Ga As/Al Ga As多量子阱光学性质的影响。用能量为 1 Me V、注量为 1 0 1 3～ 1 0 1 6 /cm2 的电子辐照 ,模拟太空环境下范艾仑带对多量子阱的辐射。辐射后在 45 0℃真空环境下退火 5分钟 ,测量了辐照前后材料的荧光谱。发现量子阱特征峰 772 nm(E=1 .61 e V)辐照后峰位不变 ,峰高有所降低 ,但退火后峰高有所恢复 ,仍比辐照前要低 ;注量为 1 0 1 6 /cm2 的样品中 Ga As的 D0 ～ A0 对复合发光峰 83 2nm(E=1 .49e V)消失。对此结果进行了讨论 ,并与质子辐照的情况作了比较。

关键词：电子辐照退火光荧光谱

掺Er^(3+)离子Mg-Al尖晶石晶体光谱性质分析

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激光技术 2000年第3期24卷 134-140页

作者：敬守勇林理彬蔡邦维成都精密光学工程研究中心成都610041 四川大学物理系成都610064 四川大学光电系成都610064

实验给出了掺Er3+ ∶Mg Al尖晶石晶体的吸收谱、荧光谱和激发谱 ,确定了Er3+ 离子在Mg Al尖晶石晶体中的能级位置。用Judd Ofelt理论计算得到了掺Er3+ ∶Mg Al尖晶石晶体的光谱特性参数。最后对该掺杂晶体出光的可能性进行了分析。

关键词： Er^3+离子 Mg-A1尖晶石晶体光谱性质掺杂

调整VO_2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

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激光技术 2002年第1期26卷 58-60页

作者：卢勇林理彬何捷四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2 薄膜 ,并对制备出的薄膜进行电子辐照。通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数 (TCR) ,表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2 ... 详细信息

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2 薄膜 ,并对制备出的薄膜进行电子辐照。通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数 (TCR) ,表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2 薄膜相变过程中电学性能 ,提高薄膜的电阻温度系数。对影响VO2

关键词： VO2薄膜电阻温度系数电学性能电子辐照相变特性

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

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强激光与粒子束 2004年第4期16卷 457-460页

作者：葛兆云林理彬四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

　对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率... 详细信息

　对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。

关键词：质子 GaAs 探测器光电流暗电流

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装饰建材放射性无损检测及评价方法研究

核技术 2003年第7期26卷 564-568页

作者：毛亚虹林理彬刘怡刚四川省放射卫生防护所四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064 四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室

根据g衰变纲图,研究将g射线强度的测量问题转化为表面a射线的强度测量问题,从而实现建材的快速无损检测。进行了各类建材表面a、b辐射水平和其天然放射性核素g比活度关系的研究和不同饰材表面b辐射水平的饱和厚度研究。结果发现:由于天... 详细信息

根据g衰变纲图,研究将g射线强度的测量问题转化为表面a射线的强度测量问题,从而实现建材的快速无损检测。进行了各类建材表面a、b辐射水平和其天然放射性核素g比活度关系的研究和不同饰材表面b辐射水平的饱和厚度研究。结果发现:由于天然放射系中最大能量b粒子的射程大于单块饰材,不能用表面b辐射水平进行无损检测判断;花岗石的表面a辐射水平与外照射指数的拟合关系为:Ig= 0.38+49.84a+288.24a2,拟合曲线和实测值的符合率为95%;抛光砖的表面a辐射水平与外照射指数的拟合关系为:Ig=0.42+343.55a32999.66a2,拟合曲线和实测值的符合率为90%。积累更多的数据将进一步提高拟合曲线和实测值的符合率。

关键词：装饰建材 α辐射水平内照射指数外照射指数放射性无损检测

第一性原理方法研究He掺杂Al晶界力学性质

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物理学报 2011年第7期60卷 559-566页

作者：王晓中林理彬何捷陈军北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室北京100083 四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

基于密度泛函理论方法,本文开展了氦掺杂AlΣ3((111)/180°)晶界数值模拟拉伸试验.计算结果表明,He在晶界中最低杂质形成能为2.942eV,偏析到晶界的偏析能为0.085eV;在拉伸条件下,清洁Σ3晶界的理论拉伸强度为9.65GPa,拉伸断裂从晶界界... 详细信息

基于密度泛函理论方法,本文开展了氦掺杂AlΣ3((111)/180°)晶界数值模拟拉伸试验.计算结果表明,He在晶界中最低杂质形成能为2.942eV,偏析到晶界的偏析能为0.085eV;在拉伸条件下,清洁Σ3晶界的理论拉伸强度为9.65GPa,拉伸断裂从晶界界面开始;而He掺杂后,晶界的理论拉伸强度下降到7.14GPa,在断裂发生前应力曲线中出现平台效应,拉伸断裂从包含He杂质的界面开始.通过对比键长和电荷密度分布,本文认为He的满壳层电子结构一方面导致了He与Al之间仅有弱的电荷相互作用,另一方面He满壳层电子结构的电荷屏蔽效应也导致了周围Al—Al键的弱化,这是系统拉伸强度下降的主要原因.

关键词： He 晶界第一性原理计算力学性质

γ射线辐照及其后退火MgAl_2O_4透明陶瓷中缺陷运动行为的研究

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硅酸盐学报 2002年第5期30卷 574-578页

作者：何捷林理彬王鹏卢勇邹萍四川大学物理系成都610064 四川大学分析测试中心成都610064

用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火 ,UV -VIS和FT -IR ,PAT测试表明 ,辐照前 3 3 60cm- 1 处有吸收峰 ,它是由VOH- 心吸收引起的 ,通过γ射线辐照 ,样品在 3 70nm处产生吸收带 ,它是由辐照产生的... 详细信息

用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火 ,UV -VIS和FT -IR ,PAT测试表明 ,辐照前 3 3 60cm- 1 处有吸收峰 ,它是由VOH- 心吸收引起的 ,通过γ射线辐照 ,样品在 3 70nm处产生吸收带 ,它是由辐照产生的V型色心吸收引起的 ,通过退火可以使V型色心吸收带消除。结果表明 :对陶瓷γ射线辐照及退火 ,将使样品中的空位团发生分裂和空位聚集。较低剂量的γ射线辐照能降低陶瓷紫外到红外透过率 ,大剂量的γ射线辐照能在陶瓷中产生局域退火效应。

关键词： γ射线辐照后退火 MgAl2O4透明陶瓷缺陷运动行为研究尖晶石透明陶瓷 V型色心

高能量,大注量中子辐照下α-Al_2O_3中的F_3聚集型色心电子结构及其吸收光谱研究

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原子与分子物理学报 1999年第2期16卷 211-216页

作者：陈军林理彬四川大学原子核技术研究所辐射物理及技术开放实验室

利用嵌入原子簇模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时，晶体的能带结构，态密度，Ｍｕｌｉｋｅｎ电荷布居的变化，讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明，由于Ｆ３聚集心的存在，在α－Ａｌ... 详细信息

利用嵌入原子簇模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时，晶体的能带结构，态密度，Ｍｕｌｉｋｅｎ电荷布居的变化，讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明，由于Ｆ３聚集心的存在，在α－Ａｌ２Ｏ３中引入了１个单能级和１个２重简并色心能级，产生了一个３．５４ｅＶ的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。经与高能量，大注量中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较，我们认为实验测得的０．３５６μｍ（３．４８３ｅＶ）处的吸收峰是由于Ｆ３聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时，也发现Ｆ３聚集心的格点处的电荷布居比单Ｆ心格点处的电荷布居小。

关键词： F聚集心电子能级氧化铝晶体色心吸收光谱

利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数

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半导体光电 2001年第3期22卷 181-183页

作者：卢勇林理彬四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得... 详细信息

利用真空还原方法 ,通过合理控制时间和真空退火温度 ,制备出具有优良热致相变特性的VO2 薄膜 ,并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明 ,不同制备参数对所得薄膜的结构和价态有显著影响 ,从而对VO2 的电阻温度系数产生较大调整。

关键词：热致相变电阻温度系数二氧化钒薄膜