基于TEOS源LPCVD设备的设计开发
Design and Development of LPCVD Equipment Based on TEOS Source作者机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所长沙410111
出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)
年 卷 期：2024年第45卷第1期
页 面：56-60页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：在以TEOS源为SiO_(2)薄膜淀积源的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺过程中,频繁出现薄膜厚度均匀性差、表面颗粒度高、设备维护周期短的问题。针对这个问题,设计并开发出一种适用于半导体工艺中的立式LPCVD设备。在设备结构上,工艺腔采用双管式结构,以提高气氛场均匀性;在晶舟系统中,增加自旋转功能,以提高晶圆表面气体含量的均匀性;为延长设备维护周期,并降低工艺颗粒度,排气管道增加伴热带和冷阱装置。基于此,通过工艺验证,有效提高了设备在线生产应用的可靠性。
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