Nafion修饰金电极阳极溶出伏安法测定痕量碲
Anodic Stripping Voitammetry for De-termination of Trace Tellurium by NafionModified Gold Electrode作者机构：郑州大学化学系
出 版 物：《分析试验室》 (Chinese Journal of Analysis Laboratory)
年 卷 期：1995年第14卷第4期
页 面：13-17页
核心收录：
学科分类：0832[工学-食品科学与工程（可授工学、农学学位）] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 083202[工学-粮食、油脂及植物蛋白工程] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
主 题：Nafion修饰电极 伏安法 碲 小麦粉 玉米粉
摘 要：本文用Ｎａｆｉｏｎ修饰金盘电极，在０．０４ｍｏｌ／ＬＬｉＣｌｆｏｐＨ２的Ｈ＿（２）ＳＯ＿４底液中，阳极溶出伏安法测定痕量碲，研究了富集溶出过程的特性和优化条件，碲浓度在０．２～１５ｎｇ／ｍＬ范围内与溶出峰电流呈良好的线性关系（富集时间为２ｍｉｎ）。本法灵敏度高，选择性好，用于测定小麦粉和玉米粉中痕量碲，测定标准偏差小于０．０９７μｇ／ｇ，与ＩＣＰ测定结果比较其相对误差小于１６％。
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