光触发静电感应可控硅和静电感应光电晶体管的功能集成

作     者：J.Nishizawa T.Tamamushi K.Nonaka 石广源 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：1989年第6卷第10期

页      面：16-17页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：可控硅 晶体管 静电感应 光触发 

摘      要：本文提出了光触发和光猝灭的静电感应可控硅(LTQ SI)集成结构,并以SI可控硅和静电感应品体管(SIT)相结合的工艺技术将其制造出来了。该器件由一个隐埋栅光触发(LT)SI可控硅和一个p沟表面(?)静电感应光电晶体管(SIPT)组成。在阳极电流IA为2A(600A/cm^2沟道电流密度)对,光开关的模拟电压VA为250V,导通时间为1.2μs,截止延迟时间为1.2μs时,触发功率为PLT=8.8mW/cm^2(150μw)和猝灭功率为PLG=8.8mW/cm^2(83μW)。集成LTQ SJ可控硅是一个新型的由光学方法开和关的自关断功率开关顺件。