检索结果-南通市图书馆

微电子学与计算机 1989年第10期6卷 16-17页

作者： J.Nishizawa t.tamamushi K.Nonaka 石广源

本文提出了光触发和光猝灭的静电感应可控硅(LtQ SI)集成结构,并以SI可控硅和静电感应品体管(SIt)相结合的工艺技术将其制造出来了。该器件由一个隐埋栅光触发(Lt)SI可控硅和一个p沟表面(?)静电感应光电晶体管(SIPt)组成。在阳极电流IA... 详细信息

本文提出了光触发和光猝灭的静电感应可控硅(LtQ SI)集成结构,并以SI可控硅和静电感应品体管(SIt)相结合的工艺技术将其制造出来了。该器件由一个隐埋栅光触发(Lt)SI可控硅和一个p沟表面(?)静电感应光电晶体管(SIPt)组成。在阳极电流IA为2A(600A/cm^2沟道电流密度)对,光开关的模拟电压VA为250V,导通时间为1.2μs,截止延迟时间为1.2μs时,触发功率为PLt=8.8mW/cm^2(150μw)和猝灭功率为PLG=8.8mW/cm^2(83μW)。集成LtQ SJ可控硅是一个新型的由光学方法开和关的自关断功率开关顺件。

关键词：可控硅晶体管静电感应光触发

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